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CMOS图像传感器

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  • Pembroke Instruments, LLC
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  • 宽动态范围传感器NSC0803-SI CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC0803-SI

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 320 # 像素: 256 像素大小: 25um

    我们的NativeWide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼哪诓慷段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs2D探测器（短波红外传感器）。NativeWDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC0806 CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC0806

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 10um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼某【澳诙段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC0902(C) CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC0902(C)

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼某【澳诙段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1003(C) CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1003(C)

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 6.8um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1005(C) CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1005(C)

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 1280 # 像素: 720 像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1101-SI CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1101-SI

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1104 CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1104

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼某【澳诙段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1105 CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1105

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 10.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼某【澳诙段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1201-SI CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1201-SI

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非常宽的场景内动态范围（>140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供锐利清晰的图像，而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1302(C) CMOS图像传感器

    宽动态范围传感器NSC1302(C)

    传感器类型: CMOS, InGaAs # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 6.8um

    我们的原生Wide Dynamic Range?传感器基于新一代专利CMOS成像技术，即使在非?？淼某【澳诙段В?140dB）下，也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件（可见CMOS传感器），现在可用于InGaAs 2D探测器（短波红外传感器）。原生WDR?成像传感器即使在高工作温度（高于90oC）下也能提供清晰锐利的图像，而不会产生像素伪像。