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  C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  形状: Square 有效区域: 100mm2 有用尺寸: 10x10mm 响应度: 55A/W 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

  C30703FH Avalanche Photodiode是一种具有高响应度和低暗电流特性的光电探测器，适用于高精度光学测量。

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  C30626FH系列雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  形状: Square 有效区域: 25mm2 有用尺寸: 4.7x4.7mm 响应度: 22A/W at 900nm 谱噪声密度: 0.5pA/?Hz

  C30626FH系列雪崩光电二极管是一种高性能的传感器，具有高响应度和低暗电流，适用于高精度光电检测。

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  C30884EH 硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  光敏表面有效面积: 0.5mm2 光敏表面有效直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119 Degrees 名义视场: 132 Degrees 击穿电压: 190-290V

  C30884EH是一种硅雪崩光电二极管，具有高响应度和快速上升下降时间。该器件使用双扩散“穿透”结构制造，优化了在1000纳米以下波长的高响应度。

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  C30817EH series（系列）硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  有用面积: 0.5mm2 有用直径: 0.8mm 名义视场: FoV 119Degrees 名义视场: 132Degrees 击穿电压: 300-475V

  C30817EH系列硅雪崩光电二极管是一种通用型光电二极管，采用双扩散“穿透”结构制造，可提供400至1100纳米波长范围内的高响应度以及在所有波长下的快速上升和下降时间。

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  C30645L-080

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：Excelitas Technologies

  ?？? No 光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes 电容: 1.45 pF

  Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。