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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供58个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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MT03-018
??? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。
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MTAPD-06-001
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-06-011
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-011的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-06-014
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-014的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-07-001
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-001的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-07-012
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-07-016
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息,请联系我们。
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MTD5052W
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 响应度/光敏度: 0.3 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTD5052W是一款光电二极管,波长范围为525 nm,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.3 A/W.有关MTD5052W的更多详细信息,请联系我们。
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MTPD1500D-2.5
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.13 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为1000 PF,暗电流为15至40 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。
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MTPS15.0PV1-5
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为50至190 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。
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MTSM1346SMF2-100
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.7 A/WMarktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管,工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF,击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装,尺寸为5 X 5 mm,是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件?!鞍⑻乩埂笔且恢置芊夥旌柑沾煞庾埃饶壳暗谋曜纪桌嘈途哂懈叩目煽啃?。
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MTAPD-07-009
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-009的更多详细信息,请联系我们。
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MTD5010N
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 响应度/光敏度: 0.20 to 0.55 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。
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MTPD1346D-100
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息,请联系我们。
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MTPD1346D-010
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息,请联系我们。
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MTAPD-07-003
光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-003的更多详细信息,请联系我们。
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MTPD1346D-030
光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-030是波长范围为1300 nm、电容为15 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-030的更多详细信息,请联系我们。
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雪崩照片=检测器MTAPD-05-003
APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nmMarktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD(LCC)类型,并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR(800nm)增强型500μm直径APD,可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。
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MTPC10.0PV1-5
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 47 to 120 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W来自Marktech Optoelectronics的MTPC10.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为47至120 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC10.0PV1-5的更多详情见下文。
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MTD1114M3B
光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 to 130 pF来自Marktech Optoelectronics的MTD1114M3B是波长范围为925 nm、电容为100至130 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1114M3B的更多详细信息,请联系我们。