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光电二极管

已选
  • Marktech Optoelectronics
参数:
  • 电容

    Capacitance(pF)

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity(A/W)

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  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-005 光电二极管

    雪崩式光电探测器MTAPD-06-005

    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

  • MTAPD-06-002 光电二极管

    MTAPD-06-002

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-002是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-002的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-150 光电二极管

    MTPD1346D-150

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 200 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-150是波长范围为1300 nm、电容为200 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-150的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD4400D-1.4 光电二极管

    MTPD4400D-1.4

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.13 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD4400D-1.4是一款光电二极管,波长范围为440 nm,电容为300 PF,暗电流为10至30 pA,响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD4400D-1.4的更多详情见下文。

  • MTD3010PM 光电二极管

    MTD3010PM

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 to 100 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.58 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010PM是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为60至100 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.58 A/W.MTD3010PM的更多详情见下文。

  • MTAPD-07-010 光电二极管

    MTAPD-07-010

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-010的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-014 光电二极管

    MTAPD-07-014

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-014的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD1346D-080 光电二极管

    MTPD1346D-080

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 45 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-080是波长范围为1300 nm、电容为45 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-080的更多详细信息,请联系我们。

  • MT03-023 光电二极管

    MT03-023

    美国
    分类:光电二极管
    ??? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 6 to 20 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-023是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为6至20 PF,暗电流为0.2至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-023的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-200 光电二极管

    MTPD1346D-200

    美国
    分类:光电二极管
    ??? No 光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 1260 pF 响应度/光敏度: 0.57 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-200是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为7 MHz,电容为1260 PF,暗电流为160 uA,响应度/光敏度为0.57 A/W.MTPD1346D-200的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-007 光电二极管

    MTAPD-06-007

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-007的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPD3650D-1.4 光电二极管

    MTPD3650D-1.4

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon, GaP RoHS: Yes 电容: 250 pF 响应度/光敏度: 0.07 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD3650D-1.4是一款光电二极管,波长范围为365 nm,电容为250 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.07 A/W.MTPD3650D-1.4的更多详情见下文。

  • MTD3910D3 光电二极管

    MTD3910D3

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 6 to 12 pF 响应度/光敏度: 0.45 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3910D3是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为6至12 PF,暗电流为10 nA,响应度/光敏度为0.45 A/W.MTD3910D3的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-009 光电二极管

    MTAPD-06-009

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-009的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD1200M3B 光电二极管

    MTD1200M3B

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 100 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1200M3B是波长范围为925 nm、电容为80至100 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1200M3B的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-015 光电二极管

    MTAPD-06-015

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MT03-022 光电二极管

    MT03-022

    美国
    分类:光电二极管
    ??? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-022是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-022的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-008 光电二极管

    MTAPD-06-008

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-008是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-008的更多详细信息,请联系我们。

  • MTPC5.0PV1-5 光电二极管

    MTPC5.0PV1-5

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 14 to 70 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPC5.0PV1-5是一款光电二极管,波长范围为940 nm,电容为14至70 PF,暗电流为1.0 nA,响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC5.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-300 光电二极管

    MTPD1346D-300

    美国
    分类:光电二极管
    ??? No 光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 2090 pF 响应度/光敏度: 0.50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-300是一款光电二极管,波长范围为600至1750 nm,带宽为4.3 MHz,电容为2090 PF,暗电流为265 uA,响应度/光敏度为0.50 A/W.MTPD1346D-300的更多详情见下文。