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光电二极管

已选
  • Marktech Optoelectronics
参数:
  • 电容

    Capacitance(pF)

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity(A/W)

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  • MTAPD-07-011 光电二极管

    MTAPD-07-011

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-011的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-005 光电二极管

    MTAPD-06-005

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-005的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-005 光电二极管

    MTAPD-07-005

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-005是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-005的更多详细信息,请联系我们。

  • MT03-036 光电二极管

    MT03-036

    美国
    分类:光电二极管
    ??? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-036是一款光电二极管,波长范围为250至1100 nm,电容为50至130 PF,暗电流为0.1至10 nA,响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-036的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-004 光电二极管

    MTAPD-06-004

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-004是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-004的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-013 光电二极管

    MTAPD-06-013

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD5010W 光电二极管

    MTD5010W

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 响应度/光敏度: 0.20 to 0.55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010W是一款光电二极管,波长范围为850 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010W的更多详情见下文。

  • MTD5052N 光电二极管

    MTD5052N

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.3 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5052N是一款光电二极管,波长范围为525 nm,电容为100 PF,暗电流为5至30 pA,响应度/光敏度为0.3 A/W.MTD5052N的更多详情见下文。

  • MTAPD-07-007 光电二极管

    MTAPD-07-007

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-007是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-007的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-016 光电二极管

    MTAPD-06-016

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-016的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-003 光电二极管

    MTAPD-06-003

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-003的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-006 光电二极管

    MTAPD-06-006

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-006是波长范围为800 nm、电容为3 PF、暗电流为0.05至0.5 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-006的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-013 光电二极管

    MTAPD-07-013

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-013的更多详细信息,请联系我们。

  • MTD3010N 光电二极管

    MTD3010N

    美国
    分类:光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 响应度/光敏度: 0.20 to 0.55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD3010N是一款光电二极管,波长范围为900 nm,电容为8至15 PF,暗电流为5 nA,响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD3010N的更多详情见下文。

  • MTAPD-06-012 光电二极管

    MTAPD-06-012

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-012的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-07-015 光电二极管

    MTAPD-07-015

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-015的更多详细信息,请联系我们。

  • MTAPD-06-010 光电二极管

    MTAPD-06-010

    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-010的更多详细信息,请联系我们。

  • 雪崩式光电探测器MTAPD-06-001 光电二极管

    雪崩式光电探测器MTAPD-06-001

    美国
    分类:光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф230um)0.04 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。