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光电二极管

已选
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • FCI-InGaAs-120LCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-120LCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05至2 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120LCER的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75C-XX-XX 光电二极管

    FCI-InGaAs-75C-XX-XX

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.75 to 0.90 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75C-XX-XX是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03nA、响应度/光敏度为0.75至0.90A/W、上升时间为020ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75C-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-20 光电二极管

    UV-20

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-20是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1000 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为2μs.有关UV-20的更多详细信息，请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管

    APD10-8-150-T52

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 响应度/光敏度: 50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为600 MHz，电容为6 PF，暗电流为0.2至2 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-120-XX-XX 光电二极管

    FCI-InGaAs-120-XX-XX

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-120-XX-XX是波长范围为900至1700 nm、电容为1 PF、暗电流为0.05 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-120-XX-XX的更多详细信息，请联系我们。

  • FIL-UV005 光电二极管

    FIL-UV005

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon 电容: 300 pF 响应度/光敏度: 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FIL-UV005是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为300 PF，响应度/光敏度为0.14 A/W，上升时间为0.9μs.有关FIL-UV005的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-75CCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-75CCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-75CCER是波长范围为900至1700nm、电容为0.65pF、暗电流为0.03至2nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间0.2ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-75CCER的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-040DP/SB 光电二极管

    PIN-040DP/SB

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.15 to 0.20 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN 040DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为60 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为0.02μs.有关PIN-040DP/SB的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400ACER 光电二极管

    FCI-InGaAs-400ACER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400ACER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400ACER的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-5DI 光电二极管

    PIN-5DI

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-5DI是一种光电二极管，波长范围为970 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为12 ns.有关引脚5DI的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-44DI 光电二极管

    PIN-44DI

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 700 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为130至700 PF，暗电流为1至15 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为24 ns.有关PIN-44DI的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1x4 光电二极管

    FCI-InGaAs-300B1x4

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300B1X4是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1X4的更多详细信息见下文。

  • PIN-44DPI 光电二极管

    PIN-44DPI

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4300 pF 响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-44DPI是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为4300 PF，响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W，上升时间为475 ns.有关PIN-44DPI的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-GaAs-4M 光电二极管

    FCI-GaAs-4M

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.63 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-4M是一款光电二极管，波长范围850 nm，带宽2 GHz，电容0.65 PF，暗电流0.03 nA，响应度/光敏度0.63 A/W.

  • PIN-25D 光电二极管

    PIN-25D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1800 to 9500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-25D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为1800至9500 PF，暗电流为15至1000 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为250 ns.有关引脚25D的更多详细信息，请联系我们。

  • UDT-555D 光电二极管

    UDT-555D

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 300 to 1500 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的UDT-555D是波长范围为350至1100 nm、电容为300至1500 PF、暗电流为2至25 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。

  • FCI-InGaAs-Q1000 光电二极管

    FCI-InGaAs-Q1000

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。

  • UDT-455 光电二极管

    UDT-455

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的UDT-455是波长范围为350至1100 nm、电容为15至85 PF、暗电流为0.25至3 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。

  • PIN-HR005 光电二极管

    PIN-HR005

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 0.8 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR005是一种光电二极管，其波长范围为800 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03至0.8 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间0.6 ns.有关引脚HR005的更多详细信息，请联系我们。

  • SC-50D 光电二极管

    SC-50D

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3900 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.42 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的SC-50D是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3900 PF，暗电流为0.25至250 nA，响应度/光敏度为0.35至0.42 A/W，上升时间为5μs.有关SC-50D的更多详细信息，请联系我们。