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光电二极管

已选
  • OSI Laser Diode, Inc.
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • PIN-5D 光电二极管

    PIN-5D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN 5D是波长范围为970 nm、电容为15至85 PF、暗电流为0.25至3 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关引脚5D的更多详细信息，请联系我们。

  • S-25VL 光电二极管

    S-25VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2100 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-25VL是一种波长范围为970 nm、电容为2100 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-25VL的更多详细信息，请联系我们。

  • S-50VL 光电二极管

    S-50VL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4000 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的S-50VL是一种波长范围为970 nm、电容为4000 PF、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。有关S-50VL的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-400WCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-400WCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.4至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400WCER的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-35P 光电二极管

    UV-35P

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1600 pF 响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3μs.有关UV-35P的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-HR040L 光电二极管

    PIN-HR040L

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 4.9 pF 响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN-HR040L是波长范围为800nm、电容为4.9pF、暗电流为0.3至2nA、响应度/光敏度为0.45至0.50A/W、上升时间为1ns的光电二极管。有关引脚HR040L的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD15-0 光电二极管

    OSD15-0

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 to 150 pF 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-0是一款光电二极管，波长范围为900 nm，电容为20至150 PF，暗电流为8至15 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为9 ns.有关OSD15-0的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-220DP/SB 光电二极管

    PIN-220DP/SB

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 17000 pF 响应度/光敏度: 0.15 to 0.20 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-220DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为17000 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为4μs.有关引脚220DP/SB的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD5-E 光电二极管

    OSD5-E

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 35 to 130 pF

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-E是波长范围为550nm、电容为35至130pF、暗电流为0.5至2nA、响应度/光敏度为11nA/Lux的光电二极管。有关OSD5-E的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-500CCER 光电二极管

    FCI-InGaAs-500CCER

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500CCER的更多详细信息，请联系我们。

  • SL3-2 光电二极管

    SL3-2

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 7 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的SL3-2是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04μs.有关SL3-2的更多详细信息，请联系我们。

  • UV-035DQ 光电二极管

    UV-035DQ

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 380 pF 响应度/光敏度: 0.5 to 0.12 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的UV-035DQ是一款光电二极管，波长范围为980 nm，电容为380 PF，响应度/光敏度为0.5至0.12 A/W，上升时间为1μs，有效区域直径为5.8 mm.有关UV-035DQ的更多详细信息，请联系我们。

  • APD05-8-150-T52 光电二极管

    APD05-8-150-T52

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD15-E 光电二极管

    OSD15-E

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF

    OSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-125G-012HRL 光电二极管

    FCI-125G-012HRL

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.13 to 1.16 pF 响应度/光敏度: 0.36 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-125G-012HRL是波长范围为850nm、电容为1.13至1.16pF、暗电流为30至500pA、响应度/光敏度为0.36A/W、上升时间为60至69ps的光电二极管。有关FCI-125G-012HRL的更多详细信息，请联系我们。

  • OSD60-E 光电二极管

    OSD60-E

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 520 to 2500 pF

    来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-E是波长范围为550nm、电容为520至2500pF、暗电流为8至30nA、响应度/光敏度为56nA/Lux的光电二极管。有关OSD60-E的更多详细信息，请联系我们。

  • SC-4D 光电二极管

    SC-4D

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.35 to 0.42 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的SC-4D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容20 PF，暗电流0.05至5 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.66μs.有关SC-4D的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-20C 光电二极管

    DL-20C

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-20C是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至1500 PF，暗电流为2000至12000 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为1μs.有关DL-20C的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-HR008 光电二极管

    FCI-HR008

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon 电容: 0.8 pF 响应度/光敏度: 0.5 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的FCI-HR008是一种光电二极管，波长范围为850 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间0.75 ns.有关FCI-HR008的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-8M 光电二极管

    FCI-InGaAs-8M

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-8M是一种波长范围为900至1700 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.95 A/W的光电二极管。