光电查为您提供58个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  S-200CL

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Optoelectronics.的S-200CL是波长范围为970 nm、电容为750 PF、暗电流为1200 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。

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  FCI-InGaAs-XXX-CCER 高速InGaAs光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  焊接温度: ----+260°C 活动区域直径: 75-500μm 响应度(λ=1310nm): 0.80-0.90A/W 响应度(λ=1550nm): 0.90-0.95A/W 电容(电压=5.0V): 0.65-20pF

  FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管安装在带玻璃窗的空腔陶瓷封装上。这些设备具有玻璃窗，可以直接将光纤环氧树脂安装上去。芯片可以环氧树脂或者熔融焊接安装在陶瓷基板上。这些设备可以提供定制的抗反射涂层窗口。FCI-InGaAs-XXX-CCER高速InGaAs光电二极管适用于高速光通信和激光二极管监控，具有高响应度和900nm至1700nm的宽光谱范围。

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  APD Series 8-150 硅雪崩光电二极管

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效面积直径: 0.2-5.0mm 活动区域: 0.03-19.6mm2 存储温度最小值: -55°C 存储温度最大值: +125°C 工作温度最小值: -40°C

  APD Series 8-150硅雪崩光电二极管，波长800纳米。具有高增益、宽带宽和低暗电流，适用于光纤通信、激光雷达和光电探测。

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  YAG Series 1064nm硅光电探测器

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 5.1mm2, 100mm2 响应度: 0.4A/W 上升时间: 5ns, 25ns 噪声等效功率: 1.2x10?1?W/√HZ, 2.5x10?1?W/√HZ

  YAG系列硅光电探测器针对1064nm Nd:YAG激光波长进行了优化，具有低电容和快速响应时间。由于低噪声和高响应度，非常适合测量低光强度，如被Nd:YAG激光束照射物体反射的光，用于测距应用。

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  SPOT-9-YAG

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 1 to 5 pF 响应度/光敏度: 0.40 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-9-YAG是波长范围为1000nm、电容为1至5pF、暗电流为35至250nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为18ns的光电二极管。SPOT-9-YAG的更多细节可以在下面看到。

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  SPOT-9D

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自 OSI Optoelectronics 的SPOT-9D是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为33ns的光电二极管。有关SPOT-9D的更多详细信息，请联系我们。

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  FCI-InGaAs-XXM series

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  ?？? No 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.95 A/W

  OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-xxM系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.95 A/W.有关FCI-InGaAs-xxM系列的更多详细信息，请联系我们。

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  PIN-4X4D/UDT-4X4D 4x4硅光电探测器阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 1.4x1.4mm(PIN-4X4D), 1.0x1.0mm(UDT-4X4D) 响应度: 0.35A/W(PIN-4X4D), 0.40A/W(UDT-4X4D) 噪声等效功率: 5.2e-14W/√Hz(PIN-4X4D), 1.0e-14W/√Hz(UDT-4X4D) 封装类型: Ceramic LCC

  PIN-4X4D和UDT-4X4D是由OSI Optoelectronics生产的4x4硅光电探测器阵列，具有超蓝增强的光电探测功能。其专有设计实现了16个元素之间几乎完全的隔离。标准的LCC封装便于集成到表面安装应用中。用于散射测量和位置感应，具有快速响应和极低串扰的特点。

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  UV增强硅光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有效区域: 不同型号不同值 响应度: 不同型号不同值 并联电阻: 不同型号不同值 噪声等效功率: 不同型号不同值 反向电压: 不同型号不同值

  OSI Optoelectronics提供两个独特的UV增强硅光电二极管系列：反型通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备特别设计用于UV区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等应用。

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  高速硅光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光谱范围: 350nm-1100nm 峰值响应度: 0.50A/W@800nm 响应时间: 几百皮秒@-5V 反向偏压: 最大指定反向电压 输出信号测量: 示波器或高频放大器

  OSI Optoelectronics' High Speed Silicon 系列是小面积设备，优化用于快速响应时间或高带宽应用。BPX-65 补充了其他高速组，具有行业标准。这些设备的光谱范围从 350 nm 到 1100 nm，响应度和响应时间经过优化，HR 系列在 800 nm 时表现出 0.50 A/W 的峰值响应度，在 -5V 时典型响应时间为几百皮秒。具有低暗电流和低电容，适用于视频系统、计算机和工业控制等应用。

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  紫外线增强硅光电二极管系列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  活动区域: 5.7 - 100 mm^2 电容: 65 - 2500 pF 并联电阻: 0.1 - 20 GOhm 噪声等效功率: 3.6E-14 - 8.2E-14 W/√Hz 上升时间: 0.2 - 7 μs

  OSI Optoelectronics提供两个独特的紫外线增强硅光电二极管系列：反转通道系列和平面扩散系列。这两个系列的设备专门设计用于紫外区域的低噪声检测。适用于污染监测、医疗仪器等多种应用。

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  SPOT-3D

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 7 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-3D是波长范围为970nm、电容为7pF、暗电流为0.13至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为25ns的光电二极管。SPOT-3D的更多细节可以在下面看到。

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  SPOT-2D

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 11 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-2D是波长范围为970nm、电容为11pF、暗电流为0.15至2nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。SPOT-2D的更多细节可以在下面看到。

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  SPOT-2DMI

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-2DMI是波长范围为970nm、电容为3pF、暗电流为0.05至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为11ns的光电二极管。有关SPOT-2DMI的更多详细信息，请联系我们。

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  FCI-InGaAs-300B1XX 多功能背面照射型光电二极管/阵列

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  ?？? No 光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.85 A/W

  OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

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  SPOT-4D-0 环形象限硅光电二极管350nm到1100nm

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  有源面积: 1.3x1.3mm 元素间隙: 0.127mm 光谱范围: 350-1100nm 响应度@790nm: 0.52A/W 电容@-10V: 5pF

  SPOT-4D-0是一款环形象限硅光电二极管，适用于350nm到1100nm的光谱范围。该产品采用环形封装设计，适合与LC插针耦合，具有?200μm激光切割孔，以及反射率测量的后向散射检测。

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  FCI-InGaAs-QXXX series

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  ?？? No 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 to 225 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

  OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请联系我们。

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  SPOT-11-YAG-FL

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 12 pF 响应度/光敏度: 0.40 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-11-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为12pF、暗电流为25至100nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-11-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。

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  SPOT-4D

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 5 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Optoelectronics的SPOT-4D是波长范围为970nm、电容为5pF、暗电流为0.10至1nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为22ns的光电二极管。有关SPOT-4D的更多详细信息，请联系我们。

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  SPOT-9DMI

  美国

  分类：光电二极管

  厂家：OSI Optoelectronics

  光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

  来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-9DMI是波长范围为970nm、电容为60pF、暗电流为0.5至10nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为28ns的光电二极管。有关SPOT-9DMI的更多详细信息，请联系我们。