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光电二极管

已选
  • OSI Optoelectronics
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管 光电二极管

    YAG Quadrant Series 1064nm象限光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 19.6mm2, 26mm2, 33.7mm2, 38.5mm2 每个元件的直径: 10.0Φmm, 11.5Φmm, 13.1Φmm, 14.0Φmm 光谱响应: 400-1100nm 响应度: 0.40A/W, 0.42A/W 电容: 0.13pF~0.20pF

    SPOT-YAG系列是1064纳米的钕：钇铝石榴石优化的四象限光电二极管，非常适合瞄准和指向应用。这些高性能的P型器件采用带电环设计，用于收集在活动区域外部产生的电流，以减少噪声。它们具有低电容和高速响应时间，非常适合低光强度测量，因其低噪声和高响应度。这些探测器可以在光伏模式（无偏）下运行，适用于需要低噪声的应用，也可以在光导模式（有偏）下操作，适用于高速、瞄准和指向应用。

  • SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管 光电二极管

    SPOT-9D-0 环形象限硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    激光切割孔径: ?200μm

    SPOT-9D-0 Annular Quadrant Silicon Photodiode是一款高性能的硅光电二极管，适用于350nm到1100nm波长范围内的光检测。其独特的环形封装设计特别适用于反射率测量和LC插芯耦合。

  • Back-llluminated 背光硅光电二极管 光电二极管

    Back-llluminated 背光硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    响应度@540nm: 0.30~0.35A/W 响应度@920nm: 0.53~0.59A/W 电容: 4~900pF 上升时间: 10~20μs

    Back-llluminated Series系列芯片尺寸封装的背照式硅光电二极管。适用于X射线检查、计算机断层扫描和一般工业用途。

  • FCI-GaAs-XXM 光电二极管

    FCI-GaAs-XXM

    美国
    分类：光电二极管
    ?？? No 光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: GaAs 电容: 0.65 pF 响应度/光敏度: 0.63 A/W

    OSI Optoelectronics的FCI-GaAs-xxM是一款光电二极管，波长范围为650至860 nm，带宽为2 GHz，电容为0.65 PF，暗电流为0.03 nA，响应度/光敏度为0.63 A/W.有关FCI-GaAs-xxM的更多详细信息，请联系我们。

  • 与闪烁体兼容的光电二极管阵列 光电二极管

    与闪烁体兼容的光电二极管阵列

    美国
    分类：光电二极管
    终端电容: 930pF 温度范围: -10mV 响应度: 0.31A/W 上升时间: 0.59μs 噪声等效功率: 5.30e-15W/√Hz

    Multi-Channel X-Ray Detector Series系列由16个元素阵列组成：单个元素被组合在一起并安装在PCB上。对于x射线或伽马射线的应用，这些多通道探测器提供了闪烁体安装选项： BGO、CdWO4或碘化铯（TI）。BGO（德国铋）作为一种理想的能量吸收器：它在高能检测应用中被广泛接受。cdwo4（钨酸镉）表现出足够高的光输出，有助于提高光谱分析结果。碘化铯（碘化铯）是另一种高能量吸收器，提供足够的抵抗机械冲击和热应力。当与闪烁体耦合时，这些硅阵列通过散射效应将任何中等或高辐射能量映射到可见光谱上。此外，他们的特别设计的PCB允许端到端连接?？梢栽谛枰蠊婺５淖樽暗那榭鱿虏渴鸲喔稣罅?。

  • QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列 光电二极管

    QD7-0-SD/QD50-0-SD 象限光电二极管阵列

    美国
    分类：光电二极管
    反向电压: QD7-0: 30 V (typ) | QD50-0: 10 V (typ) 有效区域: QD7-0: φ 20 mm | QD50-0: φ 125 mm 响应度: QD7-0: 0.4 A/W (typ) at 900 nm | QD50-0: 15.0 A/W (typ) at 900 nm 噪声等效功率: QD7-0: 9.0 e-14 W/√Hz (typ) | QD50-0: 1.3 e-13 W/√Hz (typ) 封装类型: QD7-0: TO-5 | QD50-0: TO-8

    QD7-0-SD和QD50-0-SD是带有关联电路的象限光电二极管阵列，用以提供两个差分信号和一个求和信号。两个差分信号是由光电二极管象限元件对立面感测到的光强度差异的电压模拟。此外，所有4个象限元件的放大求和也作为求和信号提供。这使得QD7-0-SD或QD50-0-SD非常适合光束对准和位置应用?？梢允迪址浅＞返墓馐云耄⑶业缏芬部梢杂糜谀勘昊袢『投云?。

  • SPOT-15-YAG 光电二极管

    SPOT-15-YAG

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.60 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-15-YAG是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为1000至3000nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为36ns的光电二极管。SPOT-15-YAG的更多细节可以在下面看到。

  • Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管

    Photovoltaic Series 平面漫射硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    响应度: 0.88A/W-1.6A/W 电容: 70pF-2000pF 上升时间: 4ns-6600ns

    Photovoltaic Series系列用于需要高灵敏度和中等响应速度的应用，尤其是对于蓝色增强系列在可见蓝光区域具有额外的灵敏度。光谱响应范围从350nm到1100nm，使常规光伏设备非常适合可见光和近红外应用。对于350nm到550nm区域的额外灵敏度，蓝色增强设备更为适用。

  • SPOT-13-YAG-FL 光电二极管

    SPOT-13-YAG-FL

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG RoHS: Yes 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.40 A/W

    来自OSI Optoelectronics的SPOT-13-YAG-FL是波长范围为1000nm、电容为15pF、暗电流为30至200nA、响应度/光敏度为0.40A/W、上升时间为15ns的光电二极管。有关SPOT-13-YAG-FL的更多详细信息，请联系我们。

  • 850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管 光电二极管

    850nm大感光面积和高速硅PIN光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    焊接温度: +260°C 有效面积直径: 150μm, 250μm, 300μm, 400μm 响应度: 0.36A/W 上升时间: 35ps至84ps 下降时间: 200ps至329ps

    OSI Optoelectronics的这款大感光面积和高速硅PIN光电二极管系列，具有大感光面积，优化用于850nm短距离光数据通信应用。这些光电探测器表现出高响应度、宽带宽、低暗电流和低电容，适用于1.25Gbps以下的应用，如千兆以太网和光纤通道。

  • Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器 光电二极管

    Multi-Element Array Series 多通道阵列光电探测器

    美国
    分类：光电二极管
    电容: 12pF 响应度: 0.99A/W 噪声等效功率: 6.2e-15W/√Hz 有效区域: 4.39x0.89mm

    多通道阵列光电探测器由多个单元光电二极管组成，彼此相邻排列，形成共阴极基板上的一维感应区域。它们能够同时测量移动光束或多波长光束，具有低电气串扰和超高均匀性，使得相邻元件之间的测量精度非常高。阵列提供了一种低成本的解决方案，适用于需要大量探测器的应用。探测器针对紫外线、可见光或近红外范围进行了优化。

  • BPX65-100 光纤接收器 光电二极管

    BPX65-100 光纤接收器

    美国
    分类：光电二极管
    窗口直径: 3.89mm 盖直径: 4.65mm 静态电流: 3.5V 输出波形: 标称值 差分跨阻: 14K?

    BPX65-100接收器包含一个BPX-65超高速光电二极管，与一个NE5212（Signetics）转导放大器耦合。标准产品包括ST和SMA连接器版本。适用于100Mbs光通信。

  • 双面、超线性位置传感器PSD 光电二极管

    双面、超线性位置传感器PSD

    美国
    分类：光电二极管
    位置响应度: 3-150 A/W 检测误差: 0.04-14 nA 电容: 15-1500 pF 位置漂移: 0.04-1.4 μm / °C 电极间电阻: 15-1500 kΩ

    双面、超线性位置传感器（Duo-Lateral, Super Linear PSD）采用最先进的双侧技术，提供一个连续的模拟输出，该输出与光斑质心从活动区域中心的偏移量成比例，具有超高精度和宽动态范围，适用于光束对准、表面轮廓测量等应用。

  • OSD-E Series 光电二极管 光电二极管

    OSD-E Series 光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    温度: 22±2?C 噪声等效功率: 1.5 x 10-14 WHz-1/2 有效区域: 1.0 x 1.0 mm 响应度: 1 nA Lux-1 电容: 35 pF

    OSD-E系列光电二极管是蓝光增强探测器，配有高质量的色彩校正滤光片。其光谱响应接近人眼的响应。适用于光度测量、医疗仪器和分析化学。

  • 大有源区高速探测器 光电二极管

    大有源区高速探测器

    美国
    分类：光电二极管
    响应度: 900nm, 0.54 A/W 电容: 48 pF 上升时间: 5.0 ns 噪声等效功率: 1.2 e-14 W/√Hz 有效区域: 7.1 mm2

    Large Active Area Photodiodes大活动面积高速探测器和辐射探测器旨在实现尽可能低的结电容，以获得快速响应时间，并可完全耗尽用于高能辐射测量。具有大有效面积、高击穿电压和快速响应时间，适用于高能粒子检测。

  • Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管 光电二极管

    Photoconductive Series 平面漫射硅光电二极管

    美国
    分类：光电二极管
    活动区域: 0.20-13 mm2 上升时间: 10-250 ns 温度范围: -10-+100°C 封装类型: TO-18, TO-5, TO-8, BNC, Plastic 响应度: 0.51-2.8 A/W

    Planar Diffused Silicon Photodiodes适用于高速和高灵敏度应用的光电导探测器系列。光谱范围从350到1100纳米，使这些光电二极管理想用于可见光和近红外应用，包括检测脉冲激光源、LED或割接光等交流应用。

  • FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器 光电二极管

    FCI-H125G-010 硅光电探测器加跨阻放大器

    美国
    分类：光电二极管
    输入光功率: --- - +5dBm 活动区域直径: 250μm 响应度: 3000V/W 跨阻抗: 8300Ω 光学过载: -3 - 0dBm

    FCI-H125G-010是一款针对短波长（850nm）高速光纤数据通信设计的低噪声、高带宽光电探测器加跨阻放大器。该混合器集成了一个直径为250μm的大感应区域、高灵敏度硅光电探测器，并包括一个高增益跨阻放大器，用于产生差分输出电压，以便在电光接收器和收发器中锁定后级放大器，适用于多模光纤上的1.25Gbps的Gigabit Ethernet和Fibre Channel应用。

  • Photop?系列光电二极管放大器混合器 光电二极管

    Photop?系列光电二极管放大器混合器

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: φ 85 - φ 4500 mm2 响应度: 0.25 - 9.2 A/W 电容: 3 - 300 pF 噪声等效功率: 1.4 e -14 - 2.9 e -13 W/√Hz 封装类型: TO-5 / TO-8 / Special

    Photop?系列将光电二极管与运算放大器结合在同一封装中。这些通用探测器具有从350纳米到1100纳米或200纳米到1100纳米的光谱范围，集成封装确保在各种操作条件下低噪声输出。Photop?系列光电二极管放大器混合器，特点包括可调增益/带宽、低噪声、宽带宽，适用于激光功率监控、医学分析等多种应用。

  • Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合 光电二极管

    Detector-Filter Combination Series 光电二极管和滤波器组合

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 1 cm2 (PIN-10DF/PIN-10AP), 6 mm2 (PIN-005D-254F) 封装类型: BNC (PIN-10DF/PIN-10AP), TO-5 (PIN-005E-550F/PIN-005D-254F) 光谱响应: 450-950 nm (PIN-10DF), CIE曲线 (PIN-10AP/PIN-555AP), 550 nm (PIN-005E-550F), 254 nm (PIN-005D-254F) 光电流: 详见规格表 响应度: 详见规格表

    Detector-Filter Combination Series系列产品结合了滤波器和光电二极管，以实现定制的光谱响应。OSI Optoelectronics提供多种标准和定制组合。根据要求，所有探测器-滤波器组合都可以提供NIST可追溯的校准数据，以安培/瓦特、安培/流明、安培/勒克斯或安培/英尺烛光等形式指定。

  • 塑料封装光电二极管系列 光电二极管

    塑料封装光电二极管系列

    美国
    分类：光电二极管
    有效区域: 多种尺寸 响应时间范围: 多种范围 光谱范围: 350-1100 nm 封装类型: 多种类型 响应度: 多种值

    高质量和可靠性的塑料封装光电二极管系列产品。这些模制设备以多种形状和尺寸的光检测器和封装形式提供，包括行业标准T1和T13/4、平面和带透镜的侧视器以及表面安装版本（SOT-23）。它们非常适合在恶劣环境中安装在PCB和手持设备上。