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光电二极管

已选
  • VI Systems GmbH
参数:
  • 电容

    Capacitance(pF)

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity(A/W)

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  • D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器 光电二极管

    D25-SWDM-Cxx 高性能光电探测器

    德国
    分类:光电二极管
    厂家:VI Systems GmbH
    响应度: 0.5A/W 小信号-3dBo带宽: >30GHz 偏压: -2.5V 3dBo带宽: 25GHz 响应度: 0.52A/W

    D25-SWDM-Cxx高速840-960纳米顶照式InP基PIN光电探测器芯片,适用于高达112 Gbit/s PAM-4数据传输速率,用于下一代数据通信系统的应用。这些光电探测器提供单芯片和4通道芯片阵列两种形式,通道间距为250微米,可与多模光纤对齐。芯片支持线缆键合。

  • D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管

    D35-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

    德国
    分类:光电二极管
    厂家:VI Systems GmbH
    响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 偏压: -2.5V 3dBo 带宽: 30-35GHz 电容: 1MHz -5V

    D35-SWDM-Cxx高速度 840-960 nm 顶部照射 InP 基 PIN 光电探测器芯片,数据速率可达 112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。这些光电探测器有单芯片或 4 通道芯片阵列可供选择,间距为 250 μm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。

  • D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管

    D30-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

    德国
    分类:光电二极管
    厂家:VI Systems GmbH
    响应度: min 0.5A/W at 850nm 小信号-3dBo带宽: >30GHz 偏压: -2.5V 3dBo 带宽: 30-35GHz 串联电阻: N/A

    D30-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶照式InP基pin光电探测器芯片,数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于下一代数据通信系统。提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 μm,可与多模光纤对准。芯片可进行线键合。

  • D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片 光电二极管

    D40-SWDM-Cxx 光电探测器芯片

    德国
    分类:光电二极管
    厂家:VI Systems GmbH
    响应度: min 0.5 A/W at 850 nm 小信号-3dBo带宽: >30 GHz typ. 偏压: -2.5V 3 dBo带宽: 30-40 GHz 电容: 0.095 pF

    D40-SWDM-Cxx高速度840-960 nm顶部照明InP基pin光电探测器芯片,支持数据速率高达112 Gbit/s PAM-4,适用于SWDM光互连、有源光缆和芯片间互连。可提供单芯片或4通道芯片阵列,间距为250 μm,便于与多模光纤对准。芯片可以进行线键合。