- 中国大陆
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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供347个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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SiC300TF-3 光电二极管
操作温度范围: -25~+120°C 存储温度范围: -40~+120°C 焊接温度(3秒): 260°C 反向电压: -20V 芯片尺寸(有效面积): Φ300μmSiC300TF-3是一种宽带SiC基紫外光电二极管,优化用于紫外线、UVA、UVB和UVC波长,适用于阳光曝光计、水净化设施和紫外功率计。
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ISO18-IT 光电二极管
芯片尺寸: 4.2×4.2mm2 有效区域: 3.924×3.924mm2 短路电流: 170μA 短路电流温度系数: 2856K 开路电压: 350mVISO18-IT是一款高输出、高灵敏度的硅PIN光电二极管,适用于分析仪器、精密光度测量、红外/激光光监测等应用。
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OSQ2-IT 光电二极管
元件数量: 4 有效面积(直径): Φ1.60mm 间隙: 20um 光谱范围: 400-1100nm 光敏度: 0.60A/WOSQ2-IT是一款具有低暗电流和高分辨率的硅光电二极管,适用于激光束位置传感器、光学镊子等应用。
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ISO18-IT 光电二极管
芯片尺寸: 4.2×4.2mm2 有效区域: 3.924×3.924mm2 短路电流: 170μA 短路电流温度系数: 1.1%/℃ 开路电压: 350mVISO18-IT是一款高输出、高灵敏度的硅光电二极管,适用于分析仪器、精密光度测量、红外/激光光监测等应用。
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WS5.29T 光电二极管
芯片尺寸: 5.29mm2 有效区域: 2.31×2.31mm2 操作范围: 450-900nm 峰值波长: 560nm, 870nm 光谱分辨率: 2856kWS5.29T波长传感器,具有高可靠性和宽波长范围,适用于LED分选、精密光度测量等应用。
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OSD10784 光电二极管
芯片尺寸: 3.05×3.05mm2 有效区域: 2.794×2.794mm2 暗电流: 15pA 上升时间: 80ns 暗电流温度系数: 0.18times/°COSD10784是一款高红外响应、高输出的高速硅光电二极管,适用于激光探测和医疗设备。
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OSX1245 光电二极管
芯片尺寸: 1.524*1.524mm 有效区域: 1.245*1.245mm 暗电流: 0.01nA 暗电流温度系数: 0.18times/°C 上升时间: 5nsOSX1245是一款高速、高灵敏度的硅光电二极管,适用于高速光度测量、高速开关、脉冲光检测等应用。
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OSX0838 硅光电二极管
芯片尺寸: 1.016*1.016mm 有效区域: 0.838*0.838mm 暗电流: 0.20nA 暗电流温度系数: 0.18times/°C 上升时间: 1nsOSX0838是一款高速度、高灵敏度的硅光电二极管,具有高带宽。
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PSD100-SPB2 光电二极管
储存温度: -15 to +100 工作温度: 0 to +70 电源电压: ±10 to ±18 偏置电压: 0 to 10 所有输出电压: -Vs+3 to +Vs-3PSD100-SPB2是一种双轴位置传感??椋视糜谖恢貌饬?、导航系统和太阳能跟踪系统。
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PSD100-SPB3 光电二极管
存储温度: -15~+100°C 工作温度: 0~+70°C 电源电压: ±5V 偏置电压: 0~12V 电流消耗: 35mAPSD100-SPB3是一款高精度二维位置传感器,适用于光轴对准、距离测量、激光束跟踪和长度测量。
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PSD100-SPB3 光电二极管
存储温度: -40~+80 工作温度: -40~+60 电源电压: ±5 偏置电压: 0~15 电流消耗: 35PSD100-SPB3是一款高精度二维位置传感器,适用于光轴对准、距离测量、激光束跟踪和长度测量。
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PSD2534F 光电二极管
有效区域: 2.5*34 mm2 暗电流: 100 pA 暗电流: 190 pA 上升时间: 120 ns 热漂移: 20-100 ppm/°CPSD2534F是一种高位置分辨率的光电探测器,适用于激光束聚焦、距离测量等应用。
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OSX0184L 光电二极管
芯片尺寸: 0.4*0.4mm 有效区域: Φ0.184mm 暗电流: 0.10nA 暗电流温度系数: 0.18times/°C 上升时间: 0.5nsOSX0184L是一款高速度、高灵敏度的硅光电二极管,适用于高速光度测量、高速开关、脉冲光检测等应用。
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OSD4-IPF 光电二极管
芯片尺寸: 2.25×2.25mm2 有效区域: 2.0×2.0mm2 暗电流: 15-30000pA 开关时间: 50ns 暗电流温度系数: 0.18times/°COSD4-IPF是一款高输出、高速响应的硅光电二极管,适用于光学开关和??卮衅鳌?/p>
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IGA2000-IIT 光电二极管
活动区域(顶部): ≥2.0mm2 活动区域(底部): ≥2.0mm2 光谱范围(顶部): 800-1700nm 光谱范围(底部): 1600-1750nm 分流电阻(顶部和底部): 40MΩIGA2000-IIT是一款高性能的双InGaAs PIN光电二极管,适用于双波长功率计和远程颜色温度感应。
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OSD29-SIT 光电二极管
活动面积(顶部): 2.90*2.90mm2 活动面积(底部): Φ2.0mm2 光谱范围(顶部): 300-1100nm 光谱范围(底部): 900-1700nm 并联电阻: 200MΩOSD29-SIT是一款高可靠性的光电探测器,适用于双波长功率计和远程色温传感。
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IGQ2000-IT InGaAs Quadrant Photodiode 光电二极管
芯片尺寸: Φ2 mm 间隙: 32 um 暗电流: 0.03 nA 上升时间: 5 ns 暗电流温度系数: 1.2 times/°CIGQ2000-IT InGaAs Quadrant Photodiode,低暗电流,高可靠性,适用于激光束位置传感器、激光制导等应用。
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PSD0308 光电二极管
正电源: +15V±5% 负电源: -15V±5% 功耗: <25mA PSD反向电压: 6V±5% VX输出幅度: -5V~5VPSD0308是一款高线性、低暗电流的模拟位置传感器,适用于接近传感器和激光束聚焦应用。
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PSD100-SPB2 光电二极管
储存温度: -15~+100°C 工作温度: 0~+70°C 电源电压: ±10~±18V 偏置电压: 0~10V 所有输出电压: -Vs+3~+Vs-3VPSD100-SPB2是一种高分辨率双轴位置传感器,适用于位置测量、导航系统和太阳能跟踪系统。
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OSD29-SIT 光电二极管
芯片尺寸: 3.302×8.128mm2 有效区域: 3.048×7.62mm2 光电流: 200-250μA 短路电流温度系数: 0.18%/°C 反向电压: 30VOSD29-SIT采用硅和InGaAs PIN光电二极管,适用于双波长功率计和远程色温感应。