- 韩国
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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供18个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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GUVA-C22SD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: GaN 响应度/光敏度: 0.14 A/WGenuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管,波长范围为240至370 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息,请联系我们。
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GUVB-T21GD-U
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.13 A/WGenuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。
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GUVV-T20GD-U
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: InGaN 响应度/光敏度: 0.15 A/WGenuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。
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GVGR-T10GD
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: InGaN 响应度/光敏度: 0.026 A/WGenuv的GVGR-T10GD是一款光电二极管,波长范围为300至510 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.026 A/W.有关GVGR-T10GD的更多详细信息,请联系我们。
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GUVA-T21GD-U
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: GaN 响应度/光敏度: 0.18 A/WGenuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至370 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息,请联系我们。
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GUVV-T10GD-L
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: InGaN 响应度/光敏度: 0.13 A/WGenuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为230至395 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。
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GUVC-T20GD-U
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.06 A/WGenuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为90 nA,响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息,请联系我们。
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GUVB-C21SD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.2 A/WGenuv的GUVB-C21SD是一款肖特基光电二极管,工作波长范围为260至320 nm.它的光功率为0.01-100mW/cm2,有效面积为0.076mm2。该光电二极管的正向电流为1 mA,反向电压为3 V.其暗电流为1 nA,光电流为115 nA,响应度为0.2 A/W.该光电二极管采用氮化铝镓制造,具有光伏工作模式。它是UV-B灯和紫外线指数监测应用的理想选择。
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GVBL-T12GD
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: InGaN 响应度/光敏度: 0.13 A/WGenuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管,波长范围为330至445 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息,请联系我们。
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GUVC-S10GD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.07 A/WGenuv的GUVC-S10GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.它提供0.01-100mW/cm2的光输出功率,响应度为0.07A/W,光电二极管的反向电压为3V,正向电流为1mA.它是用氮化铝镓基材料制造的,具有良好的日盲性。该光电二极管采用SMD 3535 PKG封装,尺寸为0.4 mm,非常适合纯UV-C监控和灭菌灯监控应用。
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GUVB-T11GD-L
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.13 A/WGenuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息,请联系我们。
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GVGR-S11SD
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: Silicon, InGaN 响应度/光敏度: 0.07 A/WGenuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管,波长范围为295至490 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息,请联系我们。
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GUVC-T11GD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.6 A/WGenicom的GUVC-T11GD是一款基于AlGaN的UV-C光电二极管,工作波长为220至280 nm.它由一个肖特基光电二极管组成,提供光伏工作模式。光电二极管的光源功率范围为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,有效面积为0.076mm2。其最大反向电压为3 V,光电流为68 nA.这种光电二极管提供了良好的日盲性,是纯UV-C和消毒灯监测应用的理想选择。
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GUVC-S40GD
??? No 光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.06 A/WGenuv的GUVC-S40GD是一款肖特基型光电二极管,工作波长范围为220至280 nm.光电二极管的输出功率为0.01-100mW/cm2,响应度为0.06A/W,反向电压为3V,正向电流为1mA.它采用氮化铝镓基材料制成,具有良好的日盲性。该光电二极管采用尺寸为1 mm的CSP封装,非常适合纯UV-C监测和灭菌灯监测应用。
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GUVV-S10SD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: InGaN 响应度/光敏度: 0.18 A/WGenuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管,波长范围为240至395 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息,请联系我们。
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GVBL-S12SD
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: Silicon, InGaN 响应度/光敏度: 0.68 A/WGenuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管,波长范围为345至450 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息,请联系我们。
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GUVC-T10GD-L
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.05 A/WGenuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管,波长范围为220至280 nm,暗电流为20 nA,响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息,请联系我们。
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GUVB-T11GD
光电探测器类型: Schottky 光电二极管材料: AlGaN 响应度/光敏度: 0.13 A/WGenuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管,波长范围为220至320 nm,暗电流为1 nA,响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息,请联系我们。