- 中国台湾
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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供150个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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TMC-5A41-157/-257光电二极管
斜率效率: 0.08-0.16mW/mA 击穿电压: 5-14V 上升时间: 0.10-0.15ns 下降时间: 0.13-0.15ns 串联电阻: 30-60ΩTMC-5A41-157/-257是一种高速度VCSEL,适用于多模光纤通信,具备优越的噪声和抖动特性,广泛应用于数据传输和光通信系统。
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TPD-1C12-019光电二极管
响应度: 0.9-1.1 A/W 击穿电压: 25-35 V 电容: 0.75-0.9 pFTPD-1C12-019是一款InGaAs PIN光电二极管,适用于光纤通信和数据中心,具有低暗电流和高响应度。
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TMC-5A41-157/-257光电二极管
正向电压: 1.6-1.8-2.1 V 击穿电压: 5-14 V 上升时间: 0.10-0.15 ns 下降时间: 0.13-0.15 ns 串联电阻: 30-45-60 ΩTMC-5A41-157/-257高速VCSEL是一款适用于多模光纤通信的激光器,具备高耦合效率和优良的噪声特性。
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TMC-5A41-147/-247光电二极管
正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 上升时间: 0.10 0.15 ns 下降时间: 0.13 0.15 ns 串联电阻: 30 45 60 ? 相对强度噪声: -130 -122 dB/HzTMC-5A41-147/-247是一款高速VCSEL,适用于多模光纤通信,具有高耦合效率和低噪声特性,广泛应用于数据中心和工业自动化。
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TMC-5A41-157/-257光电二极管
正向电压: 1.6 1.8 2.1 V 击穿电压: 5 14 V 上升时间: 0.10 0.15 ns 下降时间: 0.13 0.15 ns 串联电阻: 30 45 60 ?TMC-5A41-157/-257是一款高速VCSEL,适用于多模光纤通信,具有高耦合效率和优异的噪声特性。
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TSD-9A20-700光电二极管
ESD: 600V 连续正向电流: 12mA 连续反向电压: 5VTSD-9A20-700是一款940nm的植入式VCSEL发射器,具有高效能和低功耗,广泛应用于医疗设备、传感器和光通信领域。
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TME-3F42-238光电二极管
典型阈值电流: 15mA 工作电压: 1.5V 斜率效率(典型): 0.3mW/mA 最小峰值波长: 1290nm 最大峰值波长: 1330nmTME-3F42-238是一款1310nm激光二极管,支持高达2.5Gbps的数据速率,广泛应用于光纤通信和数据中心。
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TMC-1C55-701光电二极管
供电电流: 30 34 42 mA 差分响应度: 2.2 mV/μW 单端响应度: 1.1 mV/μW 小信号带宽: 2.5 MHz 低频截止: 15 kHzTMC-1C55-701是一款4.25Gbps的InGaAs PIN Plus AGC光电放大器,适用于光纤通信和高速网络设备。
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TME-3F42-238光电二极管
斜率效率: 0.25-0.3mW/mA 光谱宽度(RMS): 2-3nm 上升/下降时间: 0.2ns PD监测电流: 100-800uA PD暗电流: 0.1uATME-3F42-238是一款1310nm的激光二极管,支持高达2.5Gbps的数据传输速率,广泛应用于光通信和数据中心。
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TME-2B89-309光电二极管
上升/下降时间: 50 ps PD监测电流: 100-1000 uA PD暗电流: 0.1 uA PD电容: 6-10 pF 焦距: 9.8-10.4 mmTME-2B89-309是10Gbps 1270nm DFB激光二极管,适用于光纤通信和高速网络传输,具有低阈值电流和高性能特点。
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TMC-8D55-701光电二极管
差分响应度: 1.2mV/μW 单端响应度: 0.6mV/μW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-701是一款4.25Gbps GaAs PIN加AGC前置放大器,适用于光纤通信、高速信号传输等领域。
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TMC-1C55-701光电二极管
供电电流: 30 34 42 mA 差分响应度: 2.2 mV/μW 单端响应度: 1.1 mV/μW 小信号带宽: 2.5 MHz 低频截止: 15 kHzTMC-1C55-701是一个4.25Gbps的InGaAs PIN放大器,适用于光纤通信和高速网络,提供高灵敏度和宽带宽。
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TME-2B89-307光电二极管
阈值电流最大值: 15mA 阈值电流最小值: 10mA 上升/下降时间: 50ps PD监测电流: 100uA-1000uA PD暗电流: 0.1uATME-2B89-307是一款10Gbps DFB激光二极管,具有低阈值电流和广泛的应用领域,如数据通信和光纤传输。
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TMC-8D55-701光电二极管
差分响应度: 1.2mV/μW 单端响应度: 0.6mV/μW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-701是一款4.25Gbps GaAs PIN加AGC前置放大器,优化用于光纤通信,适合高速网络和数据中心应用。
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TMC-8D55-708光电二极管
差分响应度: 1.2mV/μW 单端响应度: 0.6mV/μW 小信号带宽: 2.5GHz 低频截止: 15kHz 上升/下降时间: 135psTMC-8D55-708是一款4.25Gbps GaAs PIN加AGC预放大器,专为光纤通信优化,适合多种数据传输应用。
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TSD-8B12-708光电二极管
斜率效率: 0.3-0.50 mW/mA 串联电阻: 45-60 ? 光谱宽度(RMS): 0.85 nm 温度变化阈值电流: -1.5-2 mA 温度系数: -2 mV/°CTSD-8B12-708是一款高效的氧化物限制VCSEL,适用于光通信、激光打印和传感器应用。
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TSD-8A20-700光电二极管
正向电压: 1.8 1.95 2.1 V ESD: 600 V 连续正向电流: 12 mA 连续反向电压: 5 VTSD-8A20-700是一款850nm的植入式VCSEL发射器,具有高效能和可靠性,广泛应用于医疗设备、光通信系统和传感器应用。
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TSD-8B12-706光电二极管
斜率效率: 0.35-0.50 mW/mA 串联电阻: 45-60 ? 光谱宽度(RMS): 0.85 nm 温度变化阈值电流: -1.5-2 mA 温度系数: -2 mV/°CTSD-8B12-706是一款高效的Oxide-Confined VCSEL激光器,适用于激光扫描和光通信等应用。
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TTF-3F16-301光电二极管
斜率效率: 0.018-0.038mW/mA 上升/下降时间: 60ps PD监测器电流: 100-800μA 光电探测器暗电流: 0.1μA PD电容: 3-10pFTTF-3F16-301是一款6.25Gbps 1310nm FP激光二极管,适用于数据通信和高速网络应用,具备低阈值电流和灵活电路设计。
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TSD-8B12-706光电二极管
斜率效率: 0.35-0.50 mW/mA 串联电阻: 45-60 ? 光谱宽度(RMS): 0.85 nm 连续正向电流: 12 mA 连续反向电压: 5 VTSD-8B12-706是一款氧化物限制的VCSEL激光器,具有高斜率效率和低偏置下的高光输出功率,广泛应用于激光测距、光通信和生物医学成像。