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光电二极管

已选
  • 美国
  • Marktech Optoelectronics
参数:
  • 电容

    Capacitance（pF）

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  • 响应度/光敏度

    Responsivity/Photosensitivity（A/W）

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  • MT03-018 光电二极管

    MT03-018

    美国
    分类：光电二极管
    ?？? No 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 130 pF 响应度/光敏度: 0.18 to 0.38 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MT03-018是一款光电二极管，波长范围为250至1100 nm，电容为50至130 PF，暗电流为0.1至10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.38 A/W.MT03-018的更多详细信息见下文。

  • MTAPD-06-001 光电二极管

    MTAPD-06-001

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-001的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-06-011 光电二极管

    MTAPD-06-011

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-011的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-06-014 光电二极管

    MTAPD-06-014

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-014的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-001 光电二极管

    MTAPD-07-001

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-001的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-012 光电二极管

    MTAPD-07-012

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-016 光电二极管

    MTAPD-07-016

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD5052W 光电二极管

    MTD5052W

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 响应度/光敏度: 0.3 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5052W是一款光电二极管，波长范围为525 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.有关MTD5052W的更多详细信息，请联系我们。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管

    MTPD1500D-2.5

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.13 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为1000 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管

    MTPS15.0PV1-5

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管

    MTSM1346SMF2-100

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.7 A/W

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件?！鞍⑻乩埂笔且恢置芊夥旌柑沾煞庾?，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • MTAPD-07-009 光电二极管

    MTAPD-07-009

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-009的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD5010N 光电二极管

    MTD5010N

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 15 pF 响应度/光敏度: 0.20 to 0.55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5010N是一款光电二极管，波长范围为850 nm，电容为8至15 PF，暗电流为5 nA，响应度/光敏度为0.20至0.55 A/W.MTD5010N的更多详情见下文。

  • MTPD1346D-100 光电二极管

    MTPD1346D-100

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 60 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-100是波长范围为1300 nm、电容为60 PF、暗电流为2 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-100的更多详细信息，请联系我们。

  • MTPD1346D-010 光电二极管

    MTPD1346D-010

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 10 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-010是波长范围为1300 nm、电容为10 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-010的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-003 光电二极管

    MTAPD-07-003

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-003是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-003的更多详细信息，请联系我们。

  • MTPD1346D-030 光电二极管

    MTPD1346D-030

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1346D-030是波长范围为1300 nm、电容为15 PF、暗电流为1 uA的光电二极管。有关MTPD1346D-030的更多详细信息，请联系我们。

  • 雪崩照片=检测器MTAPD-05-003 光电二极管

    雪崩照片=检测器MTAPD-05-003

    美国
    分类：光电二极管
    APD 类型: Si 工作波长: 800nm 工作波长范围: 400 - 1100 nm

    Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和杂化。封装选项包括密封到金属罐和经济高效的SMD（LCC）类型，并可根据要求进行额外定制。MTAPD-05-003是一款NIR（800nm）增强型500μm直径APD，可输入高速TIA以产生差分输出电压。TIA需要正电源电压。APD所需的正高压电源。

  • MTPC10.0PV1-5 光电二极管

    MTPC10.0PV1-5

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 47 to 120 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPC10.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为47至120 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPC10.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTD1114M3B 光电二极管

    MTD1114M3B

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 to 130 pF

    来自Marktech Optoelectronics的MTD1114M3B是波长范围为925 nm、电容为100至130 PF、暗电流为0.5至5 nA、上升时间为2 us的光电二极管。有关MTD1114M3B的更多详细信息，请联系我们。