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- Sensors Unlimited
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- OSI Laser Diode, Inc.
- OSI Optoelectronics
- Precision Micro-Optics
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- Sensors Unlimited
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- Vishay Intertechnology
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电容
Capacitance(pF)
确定 取消 -
响应度/光敏度
Responsivity/Photosensitivity(A/W)
确定 取消
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S-200CL
厂家:OSI Optoelectronics
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645 and C30662 Series 高速、大面积的InGaAs/InP雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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C30645L-080 and C30662L-200系列雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
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SU1024LE-1.7
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的SU1024LE-1.7是一款光电二极管,波长范围为0.8μm至1.7μm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关SU1024LE-1.7的更多详细信息,请联系我们。
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LDB-Series
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的LDB系列是一款光电二极管,波长范围为0.8μm至1.7μm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LDB系列的更多详细信息,请联系我们。
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LSB-Series
光电探测器类型: PN 光电二极管材料: InGaAsSensors Unlimited的LSB系列是一款光电二极管,波长范围为0.8μm至1.7μm,响应度/光敏度为10.5 nV/光子。有关LSB系列的更多详细信息,请联系我们。
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LE/LSE Series
??? Yes 光电二极管材料: InGaAs 响应度/光敏度: 10.5 A/WSensors Unlimited的LE/LSE系列是波长为0.8-2.2μm的InGaAs线性光电二极管阵列。这些光电二极管阵列的像素间距为25/50μm,像素高度为250/500μm.它们具有1.5μm的峰值波长灵敏度和10.5nV/光子的最小响应度。这些光电二极管阵列需要4.9-5.25 V的模拟电源。LE/LSE光电二极管阵列具有防晕光保护功能,可防止电荷从饱和像素流出,并允许增加场景内动态范围。它们与CMOS读出集成电路(ROIC)集成,可提供最大的抗扰度和灵敏度。这些光电二极管阵列需要一个模拟电源和两条数字控制线,以实现最佳ROIC性能,并提供通过单个输入选择两个独立增益的选项。它们由1级或2级热电冷却器组成,用于温度稳定和监控。这些光电二极管阵列采用ESD?;つ??,非常适合FTIR/NIR干涉测量、NIR分子光谱、生物医学分析、塑料回收、工业过程控制和检测、机器视觉、农业分拣和热成像应用。