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光电二极管

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  • MTAPD-06-014 光电二极管

    MTAPD-06-014

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-014的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-001 光电二极管

    MTAPD-07-001

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.5 pF 响应度/光敏度: 35 to 50 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-001是波长范围为800 nm、电容为1.5 PF、暗电流为0.02至0.4 nA、响应度/光敏度为35至50 A/W、上升时间为0.3 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-001的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-012 光电二极管

    MTAPD-07-012

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息，请联系我们。

  • MTAPD-07-016 光电二极管

    MTAPD-07-016

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1.2 pF 响应度/光敏度: 50 to 55 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD5052W 光电二极管

    MTD5052W

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 响应度/光敏度: 0.3 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTD5052W是一款光电二极管，波长范围为525 nm，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.3 A/W.有关MTD5052W的更多详细信息，请联系我们。

  • MTPD1500D-2.5 光电二极管

    MTPD1500D-2.5

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1000 pF 响应度/光敏度: 0.1 to 0.13 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPD1500D-2.5是一款光电二极管，波长范围为440 nm，电容为1000 PF，暗电流为15至40 pA，响应度/光敏度为0.1至0.13 A/W.MTPD1500D-2.5的更多详细信息见下文。

  • MTPS15.0PV1-5 光电二极管

    MTPS15.0PV1-5

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 to 190 pF 响应度/光敏度: 0.22 to 0.60 A/W

    来自Marktech Optoelectronics的MTPS15.0PV1-5是一款光电二极管，波长范围为940 nm，电容为50至190 PF，暗电流为1.0 nA，响应度/光敏度为0.22至0.60 A/W.MTPS15.0PV1-5的更多详情见下文。

  • MTSM1346SMF2-100 光电二极管

    MTSM1346SMF2-100

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 60 pF 响应度/光敏度: 0.7 A/W

    Marktech Optoelectronics的MTSM1346SMF2-100是一款InGaAs PIN光电二极管，工作波长为600至1750 nm.它具有0.7A/W的响应度和55%的量子效率。该光电二极管产生180μA的光电流和2μA的暗电流。它的结电容为60 PF，击穿电压为3 V.该光电二极管的最大响应速度高达2 Gbps.它采用缝焊SMD平面透镜封装，尺寸为5 X 5 mm，是高速光通信、工业控制、光开关、激光雷达和医疗应用的理想选择。MTSM1346SMF2-100是Marktech首款采用该公司最新设计的SMD封装的器件?！鞍⑻乩埂笔且恢置芊夥旌柑沾煞庾?，比目前的标准通孔类型具有更高的可靠性。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管

    APD15-8-150-T5H

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 响应度/光敏度: 50 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为350 MHz，电容为10 PF，暗电流为0.5至5 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息，请联系我们。

  • DL-20 光电二极管

    DL-20

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 14 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DL-20是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为600至14 PF，暗电流为2000至175 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.025μs.有关DL-20的更多详细信息，请联系我们。

  • DLS-10 光电二极管

    DLS-10

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 160 to 200 pF 响应度/光敏度: 0.4 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的DLS-10是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为160至200 PF，暗电流为50至400 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.2μs.有关DLS-10的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-300B1 光电二极管

    FCI-InGaAs-300B1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 8 to 10 pF 响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1的更多详情见下文。

  • FCI-InGaAs-400 光电二极管

    FCI-InGaAs-400

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs 电容: 14 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-400是波长范围为900至1700 nm、电容为14 PF、暗电流为0.40至5、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-400的更多详细信息，请联系我们。

  • FCI-InGaAs-XXX-X Series 光电二极管

    FCI-InGaAs-XXX-X Series

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

  • FCI-InGaAs-WCER-LR 光电二极管

    FCI-InGaAs-WCER-LR

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: InGaAs, InP 电容: 15 pF 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-WCER-LR是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为15 PF，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.FCI-InGaAs-WCER-LR的更多详情见下文。

  • PIN-10DP/SB 光电二极管

    PIN-10DP/SB

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8800 pF 响应度/光敏度: 0.15 to 0.20 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-10DP/SB是一款光电二极管，波长范围为410 nm，电容为8800 PF，响应度/光敏度为0.15至0.20 A/W，上升时间为2μs.有关引脚10DP/SB的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-13D 光电二极管

    PIN-13D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 40 to 225 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN 13D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为40至225 PF，暗电流为0.35至6 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为14 ns.有关引脚13D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-220D 光电二极管

    PIN-220D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 600 to 3200 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-220D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为600至3200 PF，暗电流为5至100 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为75 ns.有关引脚220D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-44D 光电二极管

    PIN-44D

    美国
    分类：光电二极管
    光电探测器类型: PIN 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 700 pF 响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-44D是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为130至700 PF，暗电流为1至15 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W，上升时间为24 ns.有关引脚44D的更多详细信息，请联系我们。

  • PIN-555AP-1 光电二极管

    PIN-555AP-1

    美国
    分类：光电二极管
    光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 1500 pF 响应度/光敏度: 0.4 to 0.27 A/W

    OSI Laser Diode，Inc.的PIN-555AP-1是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为1500 PF，响应度/光敏度为0.4至0.27 A/W，上升时间为0.1μs.有关PIN-555AP-1的更多详细信息，请联系我们。