- 加拿大
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集电极发射极电压(击穿)
Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)
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集电极发射极电压(饱和)
Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)
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集电极暗电流
Collector-Dark Current(nA)
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发射极集电极电压(击穿)
Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)
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导通状态集电极电流
On-State Collector Current(mA)
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波长(光谱灵敏度)
Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)
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OP301SL
输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1μA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP505D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息,请联系我们。
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OP506D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息,请联系我们。
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OP508FB
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息,请联系我们。
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OP552A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情,请联系我们。
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OP555A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情,请联系我们。
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OP598A
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)25 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情,请联系我们。
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OP705B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP705B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.65至7.25 mA.有关OP705B的更多详情,请联系我们。
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OP705D
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情,请联系我们。
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OP750A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP750A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情,请联系我们。
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OP770A
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP770A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP770A的更多详情,请联系我们。
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OP770B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP770B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP770B的更多详情,请联系我们。
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OP800SL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。
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OP800WSL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息,请联系我们。
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OP538FC
输入功率(辐照度): 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情,请联系我们。
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OP560B
输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情,请联系我们。
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OP550B
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: YesTT Electronics的OP550B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP550B的更多详情,请联系我们。
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OP505C
输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息,请联系我们。
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OP803SL
输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管,发射集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为4 mA至8 mA,功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情,请联系我们。
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OP598C
输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes来自TT Electronics的OP598C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为25 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.5 mA.有关OP598C的更多详细信息,请联系我们。