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  PT008-SMC

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：牛尾

  安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 200 nA

  来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请联系我们。

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  RPM-22PB

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：ROHM Semiconductor

  安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压（击穿）: 32 V 集电极暗电流: 0.5 μA 发射极集电极电压（击穿）: 5 V

  Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有?1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

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  KPT081M31

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：Kyosemi Opto America Corp

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN 集电极发射极电压（击穿）: 20 V 集电极暗电流: 5 to 200 nA

  Kyoto Semiconductors的KPT081M31是一款NPN Si光电晶体管，其敏感波长为800 nm.它的敏感面积为0.64 X 0.64 mm2，产生的光电流为7 mA.该光电晶体管的半角为60度，上升/下降时间为5μs，暗电流高达200 nA.它的最小电流放大系数为600，最大集电极-发射极饱和电压为0.4 V.该光电晶体管采用透明环氧树脂模制封装，尺寸为?3.8 X 30.3 mm，非常适合光学开关、光学编码器、光电隔离器、相机频闪仪、红外传感器和自动控制设备应用。

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  PT010-05

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：牛尾

  安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请联系我们。

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  PT008-05

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：牛尾

  安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

  来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压（饱和）0.2V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息，请联系我们。

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  PT010-33

  日本

  分类：光电晶体管

  厂家：牛尾

  安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请联系我们。