光电查为您提供13个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

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  EL817-G Series光耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 降额因子(温度>100°C): 5.8mW/°C

  EL817-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引线间距和表面贴装选项。

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  EL816 Series光耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗降额因子(高于Ta=80°C): 5.8mW/°C

  EL816系列是一种由红外发光二极管和光电晶体管探测器组成的光耦合器，封装为4针DIP封装，提供宽引脚间距和SMD选项。

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  标准光电晶体管耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 50mA 正向峰值电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 70mW 功耗降额因子(约Ta=100℃): 2.9mW/℃

  EL357N-G系列包含一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电晶体管检测器。该器件采用4针小型外形SMD封装。

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  AC输入光电晶体管耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: ±50mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 功耗: 70mW 功率耗散降额因子(高于Ta=90°C): 3.7mW/°C 集电极-发射极电压: 80V

  EL354N-G系列是一款4针SOP光电晶体管光耦合器，采用AC输入设计，具有高隔离电压和紧凑封装，适用于多种工业和通信应用。

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  低功耗光电晶体管型光电耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 10mA 反向电压: 6V 功耗: 20mW 输出功耗: 150mW 集电极电流: 50mA

  EL8171-G系列是一款由红外发光二极管和光电晶体管组成的光耦合器，采用绿色化合物封装，提供高隔离电压和低输入电流特性。

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  高压光电达林顿型光电耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗(输出): 300mW

  EL852系列是一款由红外发光二极管与高压光达林顿检测器光耦合而成的光电产品，采用4针DIP封装，提供宽引线间距和SMD选项。

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  高压光电晶体管型光电耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 峰值正向电流(1μs脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 集电极功耗: 150mW

  EL851系列设备由红外发光二极管和光电晶体管探测器光学耦合组成，采用4针DIP封装，并提供宽引线间距和表面贴装选项。

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  通用光电晶体管型光电耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 正向峰值电流(1us,脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mW

  EL827系列是一款8针DIP光电晶体管光耦合器，包含红外发光二极管和光电晶体管检测器，封装为8针DIP封装，提供宽引线间距和SMD选项。

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  多通道光电晶体管型光电耦合器

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  正向电流: 60mA 峰值正向电流(1us脉冲): 1A 反向电压: 6V 功耗: 100mW 功耗: 150mW

  EL847系列是一款16针DIP封装的光电晶体管光耦合器，提供四个隔离通道，适用于多种电子设备的信号隔离和传输。

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  PT204-6C

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ever Light的PT204-6C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6C的更多详细信息，请联系我们。

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  PT5529B/L2/H2-F

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ever Light的PT5529B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT5529B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

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  PT2559B/L2/H2-F

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ever Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请联系我们。

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  PT204-6B

  中国台湾

  分类：光电晶体管

  厂家：亿光电子

  安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 5 V 集电极暗电流: 100 nA

  Ever Light的PT204-6B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT204-6B的更多详细信息，请联系我们。