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光电晶体管

已选
  • 美国
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

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  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • XRNI82B 光电晶体管

    XRNI82B

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW76B 光电晶体管

    BPW76B

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

  • XZRNI56W-1 光电晶体管

    XZRNI56W-1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3036 光电晶体管

    NTE3036

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3036是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.6至1 V，发射极集电极电压（击穿）10至15.5 V，功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3123 光电晶体管

    NTE3123

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 35 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3123是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流10 uA，集电极发射极电压（饱和）1 V，导通状态集电极电流0.2至0.8 mA，功耗75 MW.有关NTE3123的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW38 光电晶体管

    BPW38

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.05 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 25 V

    来自Light In Motion的BPW38是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为7.5 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW38的更多详细信息，请联系我们。

  • L14C1 光电晶体管

    L14C1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    来自Light in Motion的L14C1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.16 mA，功耗300至600 MW.有关L14C1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G1 光电晶体管

    L14G1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U2 光电晶体管

    L14U2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极暗电流: 100 nA

    来自Light In Motion的L14U2是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U2的更多详细信息，请联系我们。

  • AM4457P3C 光电晶体管

    AM4457P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • KP-2012P3C 光电晶体管

    KP-2012P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的KP-2012P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA.有关KP-2012P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • L-3DP3BT 光电晶体管

    L-3DP3BT

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请联系我们。

  • WP7113P3C 光电晶体管

    WP7113P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的WP7113P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.5至2.5 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3C的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3032 光电晶体管

    NTE3032

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 80 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3032是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）80 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3032的更多详细信息，请联系我们。

  • BPW36 光电晶体管

    BPW36

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请联系我们。

  • AM2520P3C03 光电晶体管

    AM2520P3C03

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请联系我们。

  • AA3528P3S 光电晶体管

    AA3528P3S

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的AA3528P3S是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.2至0.4 mA，功耗100 MW.有关AA3528P3S的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA156 光电晶体管

    QSA156

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA156是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA156的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3037 光电晶体管

    NTE3037

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3037是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流10至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.25至0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3037的更多详细信息，请联系我们。

  • APL3015P3C 光电晶体管

    APL3015P3C

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请联系我们。