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光电晶体管

已选
  • 美国
参数:
  • 集电极发射极电压（击穿）

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)（V）

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  • 集电极发射极电压（饱和）

    Collector Emitter Voltage(Saturation)（mV）

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current（nA）

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  • 发射极集电极电压（击穿）

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)（V）

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current（mA）

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  • 波长（光谱灵敏度）

    Wavelength(Spectral Sensitivity)（nm）

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  • QLTP660CPD 光电晶体管

    QLTP660CPD

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Miniature Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N2 光电晶体管

    L14N2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light in Motion的L14N2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流2 mA，功耗300至600 MW.有关L14N2的更多详细信息，请联系我们。

  • XRNI30W-1 光电晶体管

    XRNI30W-1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XRNi30W-1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关XRNi30W-1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14U1 光电晶体管

    L14U1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.2 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极暗电流: 100 nA

    来自Light In Motion的L14U1是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，功耗为300至600 MW.有关L14U1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14C2 光电晶体管

    L14C2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 50 V

    来自Light In Motion的L14C2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流0.08 mA，功耗300至600 MW.有关L14C2的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA158 光电晶体管

    QSA158

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA158是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA158的更多详细信息，请联系我们。

  • QSA157 光电晶体管

    QSA157

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.25 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes

    来自Light In Motion的QSA157是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA157的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G2 光电晶体管

    L14G2

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    来自Light In Motion的L14G2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G2的更多详细信息，请联系我们。

  • L14N1 光电晶体管

    L14N1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole, Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light in Motion的L14N1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流1 mA，功耗300至600 MW.有关L14N1的更多详细信息，请联系我们。

  • L14G3 光电晶体管

    L14G3

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 45 V

    来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请联系我们。

  • APT2012P3BT 光电晶体管

    APT2012P3BT

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请联系我们。

  • APA3010P3BT-GX 光电晶体管

    APA3010P3BT-GX

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：kingbrightusa
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Phototransistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    KingbrightUSA的APA3010P3BT-GX是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APA3010P3BT-GX的更多详细信息，请联系我们。

  • L14P1 光电晶体管

    L14P1

    美国
    分类：光电晶体管
    厂家：Light in Motion
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自Light in Motion的L14P1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，导通状态集电极电流6.5 mA，功耗300至600 MW.有关L14P1的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3034A 光电晶体管

    NTE3034A

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3034A是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.25至0.4 V，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为800 nm.有关NTE3034A的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE3031 光电晶体管

    NTE3031

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请联系我们。

  • NTE30133 光电晶体管

    NTE30133

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8000N4-T 光电晶体管

    MTD8000N4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • VEMT3700F 光电晶体管

    VEMT3700F

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 70 V

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • NTE3039 光电晶体管

    NTE3039

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    NTE Electronics，Inc生产的NTE3039是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗70 MW.有关NTE3039的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管

    MTD8600T4-T

    美国
    分类：光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。