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半导体激光器

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光电查为您提供36个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation 静电放电耐受电压: max. 2kV

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL V00156 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation ESD耐受电压: 2kV

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W

  • 795S-0000-x002 半导体激光器

    795S-0000-x002

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    芯片技术: VCSEL 技术: 单模窄线宽VCSEL 斜率效率: 0.12 mW/mA 操作温度(VCSEL): 0 to 95°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds

    来自Vixar的795S-0000-x002,是波长为795nm具有TO-46封装的单模窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.06-0.17mW@85℃,0.1-0.25mW@25℃,0.04-0.16mW@95℃,阈值电流为0.6-0.9mA,线宽≤100MHz,调制带宽≥4GHz,符合行业标准PLCC4 SMT封装或行业标准PLCC2 SMT封装??捎τ糜谖恢么小⒃硕刂?、医疗设备、印刷、测量和光谱传感(如原子钟)。该产品是专为低功耗、偏振和光谱稳定性而设计。

  • 850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率 半导体激光器

    850纳米VCSEL芯片V00133 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10 A 正向电流(直流操作): max. 20 A 反向电压: Not designed for reverse operation 静电放电耐受电压: max. 2 kV

    货号:V00133;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:78W

  • 850纳米VCSEL V00027 - 高功率 半导体激光器

    850纳米VCSEL V00027 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 100°C 脉冲操作电流: 4.5A 反向电压: Not designed for reverse operation ESD耐受电压: 2kV 功率转换效率: 41%

    货号:V00027;裸片尺寸:0.87毫米X 0.87毫米281孔;建议较大峰值功率连续波,100%直流:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation ESD耐受电压: 2kV

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation 静电放电耐受电压: max. 2kV

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • 850纳米VCSEL - V00160评估模块 半导体激光器

    850纳米VCSEL - V00160评估???/a>

    操作/焊接温度: min. -40°C, max. 105°C 正向电流: max. 130A 5V供电电压: max. 5.75V LVDS输入脉冲电压: max. Vcc + 0.3V 峰值脉冲电流: typ. 94A

    VIXAR评估??榈目⒅荚诎镏突Э⒂糜诜尚惺奔洌═OF)应用的VCSEL。该??榭梢杂梅逯倒β矢叽?0W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该??榭捎糜谠诟髦植馐蕴跫缕拦繴ixar的高功率VCSEL产品。该驱动器??榭砂沧霸谄拦腊迳希员憧焖偕柚煤筒饬縑ixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该??橐严允境鲈?10 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation ESD耐受电压: 2 kV

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147 半导体激光器

    850纳米VCSEL - PLCC封装 V00147

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作温度(VCSEL): -20°C to 70°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds CW电流(VCSEL): 70mA 串联电阻(VCSEL): 10Ω 反向击穿电压: 10V

    850nm多模3孔径VCSEL,专为需要高效光功率源的应用而设计。货号:V00147;波长:850;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:70mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:150mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:300mW

  • VCSEL评估???半导体激光器

    VCSEL评估???/a>

    峰值电流: 130A 传播延迟: 1-2ns 门驱动器电源电压: 5V 峰值光功率: 80W 脉冲上升时间: ~15ns

    VIXAR评估??橛糜诓吖夤β实亩碳す饴龀宸尚惺奔洌═OF)和VCSEL闪光激光雷达应用。它结合了高功率VCSEL具有超快氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和放电电容器组。该??榭梢员磺糜诟咚俾龀宀僮?,并且它可以产生高峰值功率的短光脉冲。 评估??榘沧傲?50 nm(V00133)和940 Nm(V00132)VCSEL芯片产品目前可从Vixar的标准产品组合中获得。VCSEL被驱动EPC2045 GaN开关FET能够提供高达130 A的电流脉冲。由Texas Instruments LMG1020驱动,这是一种具有传播延迟的高电流栅极驱动器1–2纳秒。有关的更多信息,请参阅相应的组件数据表。 VCSEL芯片、EPC2045 GaN FET和LMG1020栅极驱动器。驱动电路采用PCB技术构建,以改善VCSEL的散热性能。并使激光性能较大化。对于直接热,存在大热结合焊盘,从VCSEL芯片到连接的散热器的散热。驱动器电路和评估板两者都配备有电容器组,以改善到驱动器电路的电荷输送,用于更高的占空比(DC)操作。

  • 850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率 半导体激光器

    850纳米VCSEL芯片V00151 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 100°C 正向电流: max. 2.2A 脉冲操作正向电流: max. 0.8A 反向电压: Not designed for reverse operation 静电放电耐受电压: max. 2kV

    货号:V00151;裸片尺寸:0.52毫米X 0.52毫米100孔;建议的较大峰值功率连续波,100%直流:0.5W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:1W;推荐较大峰值功率5纳秒,0.1%直流:5瓦

  • 真正的单模795纳米VCSEL 半导体激光器

    真正的单模795纳米VCSEL

    美国
    厂家:Vixar Inc.

    真正单模795nm VCSEL(光谱单模和高斯光束形状),具有单一线性偏振发射。偏振和光谱稳定性等品质使该产品成为OEM应用的理想选择。

  • 近红外垂直腔体表面发射激光器 2W 半导体激光器

    近红外垂直腔体表面发射激光器 2W

    美国
    厂家:Vixar Inc.

    近红外垂直腔面发射激光器(VCSEL)型号:多模阵列VCSEL中心波长:850nm不带漫射器的光功率:2瓦

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器

    940纳米VCSEL V00155 - 高功率

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation ESD耐受电压: 2kV 功率转换效率: 50%

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013 半导体激光器

    680纳米VCSEL - PLCC封装 V00013

    美国
    厂家:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C to 50°C 正向电流: 3mA max 反向电压: Not designed for reverse operation 回流焊接温度: 260°C max 静电放电耐受电压: 2kV max

    货号:V00013;波长:680;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:1.5mW;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:3mW;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:-