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半导体激光器

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  • OSI Laser Diode, Inc.
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光电查为您提供89个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • LCW/SCW系列。仪器激光???脉冲和连续的应用 半导体激光器

    LCW/SCW系列。仪器激光模块 脉冲和连续的应用

    美国

    OSI激光二极管公司'为满足光学测试设备的性能要求,设计了一种高功率单模光纤耦合激光器???/p>

  • CW 635-BF 半导体激光器

    CW 635-BF

    美国
    激光增益介质: GaInP / GaAs

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CW 635-BF是波长为630至640 nm、输出功率为0.15至0.15 W、工作电压为2.1 V、阈值电流为400 mA、输出功率(CW)为0.15至0.15W的激光二极管。

  • LHCVN5S63-30 半导体激光器

    LHCVN5S63-30

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LHCVN5S63-30是波长为905 nm、输出功率为350 W、工作电压为100 V、输出功率(CW)为350 W、工作温度为0至70摄氏度的激光二极管。LHCVN5S63-30的更多细节可以在下面看到。

  • CVLL 5S95 半导体激光器

    CVLL 5S95

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVLL 5S95是波长为1550nm、输出功率为57W、阈值电流为1000mA、输出功率(CW)为57W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。有关CVLL 5S95的更多详细信息,请联系我们。

  • CVN 2S63 半导体激光器

    CVN 2S63

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 2S63是波长为905 nm、输出功率为120至150 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为120至150 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。有关CVN 2S63的更多详细信息,请联系我们。

  • 1550纳米高亮度脉冲激光二极管 半导体激光器

    1550纳米高亮度脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    OSI激光二极管公司提供极高亮度的CVLL 1550nm脉冲激光二极管,功率高达75瓦。

  • SCW 1430系列 半导体激光器

    SCW 1430系列

    美国
    技术: Fabry-Perot (FP)

    SCW 1430系列激光二极管??槭?490 nm脉冲激光二极管,采用14针DIL、蝶形或3针TO56封装。它们提供高达300mW的光输出功率。这些SCW激光二极管??榉浅J屎闲枰叻逯德龀骞夤β实墓庋Р馐陨璞赣τ?。

  • 1300纳米边缘发射的LED 半导体激光器

    1300纳米边缘发射的LED

    美国

    OSI激光二极管公司S 1300nm边缘发光LED(发光二极管)具有稳定的功率和温度光谱特性。这些LED通常用于数据或模拟传输系统,在这些系统中,发射功率要求对于SLED组件来说太大,并且激光器不适合。

  • LCW/SCW系列 半导体激光器

    LCW/SCW系列

    美国

    OSI的LCW/SCW系列是工作波长为1310、1490、1550、1625和1650 nm的激光二极管。它们可提供高达75 MW的CW功率和高达200 MW的脉冲功率。这些高功率激光??樘峁┑ツ:投嗄9庀搜∠?。激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。它们适用于OTDR仪器、光谱学、光子计数、光学和Los传感器以及通话设备等应用。

  • SCW系列。高功率仪器激光模块 脉冲应用 半导体激光器

    SCW系列。高功率仪器激光???脉冲应用

    美国

    OSI激光二极管公司设计了一种高功率SMF耦合激光器???,以满足其性能要求

  • 1550纳米多结点脉冲激光二极管 半导体激光器

    1550纳米多结点脉冲激光二极管

    美国
    中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    眼睛安全

  • TCW RGBM-105R 半导体激光器

    TCW RGBM-105R

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的TCW RGBM-105R是波长为450至638 nm、输出功率为0至35 W、阈值电流为30至50 mA、输出功率(CW)为0至35 W、工作温度为-20至50摄氏度的激光二极管。

  • CVB 450-TO56R 半导体激光器

    CVB 450-TO56R

    美国
    芯片技术: GaN

    来自OSI Laser Diode的CVB 450-TO56R是一个激光二极管??椋且桓鲆?针同轴格式封装的450 nm GaN激光二极管。激光二极管与200/230/500um光纤尾纤光学耦合。该装置包括ESD?;ざ?。CVB 450-TO56R激光二极管??樽ㄎ枰龀骞夤β实姆侵评涔庋Ъ屏坑τ枚杓?。它符合RoHS标准。

  • LHCVN63-10 半导体激光器

    LHCVN63-10

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LHCVN63-10是波长为905 nm、输出功率为20 W、工作电压为40 V、输出功率(CW)为20 W、工作温度为0至70摄氏度的激光二极管。

  • CVLL 3S95 半导体激光器

    CVLL 3S95

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVLL 3S95是波长为1550nm、输出功率为19W、阈值电流为1000mA、输出功率(CW)为19W、工作温度为-40至85℃的激光二极管。有关CVLL 3S95的更多详细信息,请联系我们。

  • PULSED 850nm仪器激光???半导体激光器

    PULSED 850nm仪器激光模块

    美国
    中心波长附近的调谐范围: <= 200nm

    OSI激光二极管公司S 850nm激光??樯杓朴糜诟吖夤β屎偷凸β实墓庀艘瞧?/p>

  • CVD 95 半导体激光器

    CVD 95

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 95是波长为850nm、输出功率为15W、输出功率(CW)为15W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVN 5S63 半导体激光器

    CVN 5S63

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVN 5S63是波长为905 nm、输出功率为300至375 W、阈值电流为800 mA、输出功率(CW)为300至375 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。

  • LP8M03-27-62R 半导体激光器

    LP8M03-27-62R

    美国

    来自OSI Laser Diode,Inc.的LP8M03-27-62R是波长为850nm、输出功率为0.3至0.3W、阈值电流为100mA、输出功率(CW)为0.3至0.3W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • SCW 1731F-D40R 半导体激光器

    SCW 1731F-D40R

    美国

    SCW 1731F-D40R激光二极管模块是封装在14引脚DIL中的1650 nm Al RWG DFB激光二极管