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半导体激光器

已选
  • QSI(Quantum Semiconductor International)
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光电查为您提供69个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • QL65F6S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL65F6S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F6S-A/B/C-L是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至60 mA的激光二极管。有关QL65F6S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83H6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83H6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAs Lasers

    QL83H6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为20 MW，工作电压为1.9至2.5 V，工作电流为45至70 mA.有关QL83H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL84S6SL 半导体激光器

    QL84S6SL

    技术: Quantum Well

    来自Quantum Semiconductor International的QL84S6SL是波长为835至855 nm、输出功率为450 MW、工作电压为1.9至2.5 V、工作电流为530至550 mA的激光二极管。有关QL84S6SL的更多详细信息，请联系我们。

  • QL90F7S-A/B/C 半导体激光器

    QL90F7S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAs Lasers

    QL90F7S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.3 V，工作电流为35至60 mA.有关QL90F7S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65D7S-A/B/C-L 半导体激光器

    QL65D7S-A/B/C-L

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    QL65D7S-A/B/C-L（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为650至660 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.15至2.6 V，工作电流为27至35 mA.有关QL65D7S-A/B/C-L的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D43A/B 半导体激光器

    QL63D43A/B

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm，斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度，垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪、激光?？楹吞跣温攵寥∑饔τ?。

  • QL78C7PB 半导体激光器

    QL78C7PB

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78C7PB是一种激光二极管，波长为770至810 nm，输出功率为3 MW，工作电压为1.9至2.3 V，工作电流为30至50 mA.有关QL78C7PB的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78E6HG-Q 半导体激光器

    QL78E6HG-Q

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL78E6HG-Q是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为6 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为27至28 mA.有关QL78E6HG-Q的更多详细信息，请联系我们。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器

    QL63D4SA/B/C

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • QL78K 8S-A/B/C 半导体激光器

    QL78K 8S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78K 8S-A/B/C是一种激光二极管，波长为770至790 nm，输出功率为60 MW，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为90至120 mA.有关QL78K 8S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL94J6SA/B/C 半导体激光器

    QL94J6SA/B/C

    技术: Quantum Well 芯片技术: InGaAs 激光增益介质: InGaAs Lasers

    来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学?？楹痛衅饔τ锰峁?0 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置光电二极管，用于监控激光二极管。

  • QL63D4S-A/B/C 半导体激光器

    QL63D4S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

  • QL68G5HF-L4 半导体激光器

    QL68G5HF-L4

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaInP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL68G5HF-L4是一种激光二极管，波长为670至690 nm，输出功率为12 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为30至50 mA.有关QL68G5HF-L4的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6PA 半导体激光器

    QL78F6PA

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78F6PA是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为26至40 mA.有关QL78F6PA的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65E53A/B 半导体激光器

    QL65E53A/B

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E53A/B是波长为645至660 nm的激光二极管，输出功率为7 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为19至30 mA.有关QL65E53A/B的更多详细信息，请联系我们。

  • QL78F6SG-Q 半导体激光器

    QL78F6SG-Q

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    Quantum Semiconductor International的QL78F6SG-Q是一种激光二极管，波长为775至790 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.5 V，工作电流为33至44 mA.有关QL78F6SG-Q的更多详细信息，请联系我们。

  • QL65E5S-A/B/C 半导体激光器

    QL65E5S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: InGaAlP Lasers

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为29至37 mA的激光二极管。有关QL65E5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL83F6S-A/B/C 半导体激光器

    QL83F6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: GaAs Lasers

    QL83F6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为820至840 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.7至2.4 V，工作电流为30至55 mA.有关QL83F6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL85H6S-A/B/C 半导体激光器

    QL85H6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL85H6S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为845至865 nm，输出功率为20 MW，工作电压为2至2.5 V，工作电流为40至70 mA.有关QL85H6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

  • QL82R6S-A/B/C 半导体激光器

    QL82R6S-A/B/C

    技术: Quantum Well 激光增益介质: AlGaAs Lasers

    QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为819至829 nm，输出功率为200 MW，工作电压为1.8至2.6 V，工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。