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半导体激光器

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光电查为您提供174个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • B-104 半导体激光器

    B-104

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-104是波长为1450nm，输出功率为5W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-104的更多细节可以在下面看到。

  • B-106 半导体激光器

    B-106

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-106是波长为1480nm，输出功率为5W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-106的更多细节可以在下面看到。

  • B-109-108 半导体激光器

    B-109-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-109-108是波长为1532nm，输出功率为4.0W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。有关B-109-108的更多详细信息，请联系我们。

  • B-115 半导体激光器

    B-115

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-115是一种波长为1550nm，输出功率为0.06W，工作电压为3.1V，工作电流为1.8A，阈值电流为50mA的激光二极管。B-115的更多细节可以在下面看到。

  • B-123-108 半导体激光器

    B-123-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-123-108是波长为1350nm，输出功率为5.9W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-123-108的更多细节可以在下面看到。

  • B-124 半导体激光器

    B-124

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-124是波长为1650nm，输出功率为0.45W，工作电压为3V，工作电流为1.6A，阈值电流为50mA的激光二极管。B-124的更多细节可以在下面看到。

  • B-130-108 半导体激光器

    B-130-108

    美国
    激光增益介质: InP

    B-130-108是Seminex公司生产的波长为1380nm，输出功率为5.9W，工作电压为1.8V，工作电流为13A，阈值电流为500mA的半导体激光器。有关B-130-108的更多详细信息，请联系我们。

  • B-133-108 半导体激光器

    B-133-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-133-108是一种波长为1625nm，输出功率为3.3W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-133-108的更多细节可以在下面看到。

  • B-133 半导体激光器

    B-133

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-133是一种波长为1625nm，输出功率为3.5W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-133的更多细节可以在下面看到。

  • B-134-108 半导体激光器

    B-134-108

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-134-108是波长为1650nm，输出功率为3W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-134-108的更多细节可以在下面看到。

  • B-134 半导体激光器

    B-134

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的B-134是一种波长为1650nm、输出功率为3W、工作电压为1.7V、工作电流为14A、阈值电流为500mA的激光二极管。B-134的更多细节可以在下面看到。

  • BAR-105 半导体激光器

    BAR-105

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-105是波长为1470nm，输出功率为20W，工作电压为1.3V，工作电流为60A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-105的更多详细信息。

  • BAR-107 半导体激光器

    BAR-107

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-107是波长为1470nm，输出功率为25W，工作电压为1V，工作电流为85A，阈值电流为12000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-107的更多详细信息。

  • BAR-109 半导体激光器

    BAR-109

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-109是波长为1532nm，输出功率为20W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-109的更多详细信息。

  • BAR-111 半导体激光器

    BAR-111

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-111是波长为1550nm，输出功率为25W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-111的更多详细信息。

  • BAR-113 半导体激光器

    BAR-113

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-113是一种波长为1550nm，输出功率为20W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-113的更多详细信息。

  • BAR-114 半导体激光器

    BAR-114

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-114是波长为1560nm，输出功率为25W，工作电压为1.1V，工作电流为100A，阈值电流为12000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-114的更多详细信息。

  • BAR-119 半导体激光器

    BAR-119

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-119是波长为1310nm，输出功率为25W，工作电压为1.3V，工作电流为50A，阈值电流为9000mA的激光二极管。有关BAR-119的更多详细信息，请联系我们。

  • BAR-125 半导体激光器

    BAR-125

    美国
    激光增益介质: InP

    Seminex公司的BAR-125是波长为1350nm、输出功率为25W、工作电压为1.3V、工作电流为50A、阈值电流为9000mA的激光二极管。有关BAR-125的更多详细信息，请联系我们。

  • C-102 半导体激光器

    C-102

    美国
    激光增益介质: InP

    C-102是Seminex公司生产的波长为1475nm，输出功率为3.7W，工作电压为1.5V，工作电流为8A，阈值电流为450mA的激光二极管。C-102的更多细节可以在下面看到。