- 中国大陆
-
输出电流
Output Current（A）
确定 取消 -
输出电压
Output Voltage（VDC）
确定 取消
光电查为您提供84个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
ES-SASFDN30E AlGaAs dn系列LED芯片
ES-SASFDN30E AlGaAs DN系列LED芯片是一款高效的光电半导体器件，适用于面部识别、数据通信和监控等多个应用。
-
ES‐SAHRPN10 AlGaInP PN‐系列LED芯片
ES‐SAHRPN10 AlGaInP PN系列LED芯片，具备高光强度和薄膜结构，广泛应用于户外显示、交通信号等领域。
-
ES-SAHRPN08 AlGaInP pn系列LED芯片
ES-SAHRPN08 AlGaInP PN系列LED芯片具备高亮度和高驱动电流，广泛应用于背光、标识、便携式光源及装饰照明等领域。
-
ES-SAD0PN42R AlGaInAs pn系列LED芯片
芯片尺寸: 42mil x 42mil (1067±25μm x 1067±25μm) 最大正向直流电流: ≤1000mA 芯片工作温度: -40 ~ +85?CES-SAD0PN42R AlGaInAs PN系列LED芯片具有高辐射通量，适用于传感系统、医疗设备和晶圆检验等多个领域。
-
ES-SABRPN20F AlGaInP pn系列LED芯片
ES-SABRPN20F AlGaInP PN系列LED芯片，具有高辐射通量，适用于温室照明和医疗设备等多个领域。
-
ES-SABRPN14T AlGaInP pn系列LED芯片
结温: ≤115°C 芯片温度: -40~+85°CES-SABRPN14T AlGaInP PN系列LED芯片，具有高辐射通量和薄膜结构，广泛应用于医疗设备和园艺照明。
-
ES-SA81DN30 AlGaAs dn系列LED芯片
光辐射通量: C19 420-470 mWES-SA81DN30 AlGaAs DN系列LED芯片，具有高辐射通量，适用于IRIS识别等应用。
-
ES-FFGHPE04J InGaN绿色LED芯片
阳极垫: 37±10μm x 53±10μm 阴极垫: 37±10μm x 53±10μm 反向电流: 0-0.5uA 结温: ≤115°C 芯片温度: -40~+85°CES-FFGHPE04J InGaN绿色LED芯片，具有高功率密度和低热阻，适用于细间距显示等应用。
-
ES-FFBCPE04J InGaN蓝光LED芯片
逆向电流: 0-0.5uA 结温: ≤115°C 运输温度: -20~+65°CES-FFBCPE04J InGaN蓝色LED芯片，具有高功率密度和优良的电光特性，广泛应用于精细间距显示等领域。
-
ES-FFBCPE04E蓝光LED芯片
电极垫: Au 正向电压: 1.9V (If = 10μA) 反向电流: ≤ 0.5uA (Vr = 10V) 主波长: 462nm - 470nm (If = 1mA) 光谱半宽: 25nm (If = 1mA)ES-FFBCPE04E InGaN蓝色LED芯片，具有高功率密度和优异的光电特性，广泛应用于RGB显示标牌等领域。
-
febcpe10e InGaN蓝光LED芯片
ES-FEBCPE10E InGaN蓝色LED芯片，适用于背光和照明，具有高功率密度和低热阻的特点。
-
-
ES-FEBCPD08D蓝光LED芯片
ES-FEBCPD08D InGaN蓝光LED芯片，具有高功率密度和长寿命，广泛应用于背光和照明等领域。
-
ES-EMBCF30E InGaN f系列蓝光LED芯片
辐射通量A59: 125-130 mW 辐射通量A60: 130-135 mWES-EMBCF30E InGaN F系列蓝色LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，适用于照明和背光应用。
-
ES-EMBCF30C InGaN f系列蓝光LED芯片
ES-EMBCF30C是一款高效的蓝色LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，广泛应用于背光、照明和显示器等领域。
-
ES-EMBCF22L-A InGaN f系列蓝光LED芯片
芯片温度范围: -40~+85 ?CES-EMBCF22L-A InGaN F-series蓝光LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，适用于照明领域。
-
ES-EEBCA14A InGaN a系列蓝光LED芯片
芯片尺寸: 355±40μm x 280±40μm P键合垫: 3.1mil(80±10μm) 正向电压Vf1: 2.0V 正向电压Vf2: 2.9-3.2V 反向电流Ir: ≤2.0μAES-EEBCA14A InGaN A系列蓝色LED芯片，具有高光强、长寿命等特性，广泛应用于RGB显示、照明等领域。
