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输出电流
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输出电压
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ES-EEBCA10A InGaN a系列蓝光LED芯片
包装时温度: 280(<10sec) ?CES-EEBCA10A InGaN A系列蓝色LED芯片，具有高亮度和长寿命，广泛应用于RGB显示和照明领域。
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ES-EEBCA09A InGaN a系列蓝光LED芯片
ES-EEBCA09A是一款高亮度蓝色LED芯片，适用于RGB显示及照明等多个领域，具有优良的电光性能和长寿命。
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ES-EAUVF45H InGaN f系列紫外LED芯片
芯片温度: -40~+85 C? 运输温度: -20~+65 C?ES-EAUVF45H InGaN F系列紫外LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，广泛应用于UV空气净化器、打印和固化等领域。
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ES-EAGHA26C InGaN a系列绿色LED芯片
尺寸特征: 640±40μm x 640±40μm 厚度: 150±10μm P接触垫: 76±10μm N接触垫: 76±10μmES-EAGHA26C InGaN A系列绿色LED芯片，具有高辐射通量和长使用寿命，广泛应用于消费电子。
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ES-EAGHA18A InGaN a系列绿色LED芯片
芯片尺寸: 457±40μm x 457±40μm 厚度: 150±10μm 辐射通量A50: 80-85mW 辐射通量A51: 85-90mW 辐射通量A52: 90-95mWES-EAGHA18A InGaN A系列绿色LED芯片，具有高辐射通量和长使用寿命，适用于特殊和建筑照明。
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ES-EABCS09B InGaN s系列LED芯片
ES-EABCS09B InGaN S-series LED Chip是一款高效蓝色LED芯片，适用于背光照明、照明设备和显示器等应用，具有优异的辐射通量和长寿命特性。
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ES-EABCF33B InGaN f系列蓝光LED芯片
辐射通量Po A88: 480-500mW 辐射通量Po A89: 500-520mWES-EABCF33B是一款高效能蓝光LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，广泛应用于照明领域。
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ES-EABCF14D-A InGaN f系列蓝光LED芯片
辐射通量A70: 210-220 mW 辐射通量A71: 220-230 mW 辐射通量A72: 230-240 mWES-EABCF14D-A InGaN F-series蓝色LED芯片，具有高辐射通量和长寿命，广泛应用于背光和照明。
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ES-CAYG 509 AlGaInP ITO-top LED芯片
反向电流Ir: ≤10 μAES‐CAYG509 AlGaInP ITO‐top LED Chip是一款高亮度LED芯片，适用于多种电子设备和室内应用。
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ES-CAYO508 AlGaInP ITO-top LED芯片
ES-CAYO508 AlGaInP ITO-top LED Chip，具有高亮度和优异的电光特性，适用于移动设备和消费电子。
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ES-CAYO512 AlGaInP to top LED芯片
ITO层厚度: 6.7 mil (170±25 μm) P键合垫尺寸: 4.6 mil (117±10 μm) 亮度强度Iv E9: 170 mcd 亮度强度Iv E10: 200 mcd 亮度强度Iv E11: 250 mcdES-CAYO512 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度LED芯片，适用于户外显示和交通信号等多个应用。
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ES-CAYL512 AlGaInP to -top LED芯片
ES-CAYL512 AlGaInP ITO顶LED芯片，具有高光强度，适用于户外显示和交通信号等场景。
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ES-CAYL509 AlGaInP to -top LED芯片
ES-CAYL509 AlGaInP ITO-top LED芯片，提供高亮度与优良性能，适用于移动设备和室内应用。
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ES-CAYL508 AlGaInP ITO-top LED芯片
ES-CAYL508 AlGaInP ITO-top LED Chip，具有高亮度及优异的电光特性，广泛应用于移动设备和消费电子领域。
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ES-CAYG508 AlGaInP ITO-top LED芯片
P接触垫厚度: 3.9 mil (100±10 μm)ES-CAYG508 AlGaInP ITO-top LED Chip，具有高亮度和多种应用，适用于移动设备和消费电子。
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ES-CAYG511 AlGaInP to -top LED芯片
芯片尺寸: 11mil x 11mil (280±25μm x 280±25μm) ITO层厚度: 6.7mil (170±25μm) P焊盘厚度: 4.3mil (110±10μm) 反向电流Ir: ≤10μA 峰值波长λp: 573nmES-CAYG511 AlGaInP ITO-top LED Chip，具有高发光强度，适用于户外显示和交通信号等多种应用。
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ES-CARO512 AlGaInP to top LED芯片
亮度强度E7: 110 mcd 亮度强度E8: 140 mcd 亮度强度E9: 170 mcd 亮度强度E10: 200 mcdES-CARO512 AlGaInP ITO-top LED Chip是一款高亮度的LED芯片，适用于户外显示和交通信号等应用，提供卓越的性能和可靠性。
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ES-CASO 508 AlGaInP ITO顶部LED芯片
光强度E4: 60 mcd 光强度E5: 75 mcd 光强度E6: 90 mcdES-CASO508是一款高亮度的AlGaInP ITO顶部LED芯片，适用于移动设备、室内应用及消费电子产品。
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es - car509 AlGaInP to -top LED芯片
运输温度: -20~+65 ?CES-CARO509 AlGaInP ITO-top LED Chip 是一种高亮度LED，广泛应用于移动设备和消费电子，具有卓越的电光特性和设计。
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es - car508 AlGaInP ITO-top LED芯片
ES-CARO508 AlGaInP ITO-top LED芯片是一款高亮度LED，适用于移动设备和室内应用，具有优异的电光特性。