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LA PA180MP1
厂家：Chips 4 Light
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Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器
厂家：Optilab
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DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
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HSMF-C11B
厂家：Broadcom
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HSMF-C144
厂家：Broadcom
光电查为您提供827个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LA PD3323HP1发光二极管
芯片高度: 190-250μm 键合焊盘直径: 85-115μm 击穿电压: 50V 反向暗电流: 1nA 结电容: 2pFLA PD3323HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射的检测，广泛应用于IRDA传输、传感器、工业电子和数据通信。
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LA PD2612HP2发光二极管
芯片高度: 280μm 灵敏区域: 0.053mm2 键合焊盘直径: 80μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: <3nALA PD2612HP2是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、背光调光、工业电子等应用。
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LA PD2612HP1发光二极管
芯片高度: 250-310μm 键合焊盘直径: 65-95μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: <1-3nA 最大灵敏度波长: 810nmLA PD2612HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、背光调光器等高性能消费应用。
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LA PD2214HP1发光二极管
芯片高度: 190-220-250μm 键合垫直径: 85-100-115μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 5nA 结电容: 0.5pFLA PD2214HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高性能消费类电子产品中。
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LA PD400HP1发光二极管
芯片高度: 305μm 键合焊盘直径: 190μm 击穿电压: 10V 反向暗电流: 100nA 结电容: 700pFLA PD400HP1是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和红外辐射，广泛应用于高灵敏度光电探测器、传感器和工业电子。
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LA PD240BP1发光二极管
芯片高度: 305μm 正极: Anode (p), aluminum alloy 负极: Cathode (n), gold alloy 反向暗电流: 30nA 最大灵敏度波长: 800nmLA PD240BP1是一款高灵敏度的蓝增强PIN光电二极管，适用于高性能消费应用，具有320 nm的UV增强灵敏度和800 nm的最大灵敏度。
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LA PD200HP1发光二极管
芯片高度: 265-345μm 键合垫直径: 300 x 200μm 击穿电压: 10V 反向暗电流: 30nA 结电容: 49pFLA PD200HP1是一款高灵敏度光电探测器，适用于可见光和红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子。
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LA PD165HP1
芯片高度: 265-345μm 键合焊盘直径: 130-170μm 击穿电压: 33V 反向暗电流: 30nA 结电容: 36pFPremium Edition Standard PIN photodiode 165 mil，旨在高性能消费应用，具有15.4 mm2的敏感区域，能够检测可见光和近红外辐射。
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LA PT28AP1发光二极管
芯片长度: 720μm 灵敏区域: 0.25mm2 芯片高度: 220μm 发射极焊盘面积: 100x100μm2 正面接触材料: AlLA PT28AP1是一款高性能环境光传感器，适用于背光调节和传感器应用，具有峰值灵敏度570nm。
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LA PT20HP1发光二极管
芯片长度: 520μm 芯片高度: 185μm 发射极焊盘面积: 100x100μm2 基极焊盘直径: 100μm 正面接触材料: AlLA PT20HP1是一款高灵敏度的硅NPN光电晶体管，适用于电子控制和传感器应用，具备卓越的可见光和红外辐射响应。
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LA PT15HP1发光二极管
芯片高度: 165-205μm 键合焊盘直径: 85-115μm 集电极-发射极击穿电压: 85V 集电极暗电流: <1-50nA 最大灵敏度波长: 910nmLA PT15HP1是一款高性能NPN光电晶体管，适用于传感器、工业电子和光耦合器等应用，具有高灵敏度和小尺寸。
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LA PS15848HP1发光二极管
芯片高度: 265~345μm 键合垫直径: 1000x140μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 5nA 结电容: 15~30pFLA PS15848HP1是一款高灵敏度位置敏感探测器，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子。
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LA PD12083HP1发光二极管
芯片高度: 260μm 灵敏区域: 5.5mm2 阳极焊盘直径: 85 x 85μm 阴极焊盘直径: 130 x 155μm 最大灵敏度波长: 970nmLA PD12083HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、工业电子和数据传输等应用。
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LA PD11052HP1发光二极管
芯片高度: 270...345μm 键合垫直径: 150 x 200μm 正极: Anode (p), aluminum alloy 负极: Cathode (n), gold 结电容: 5.2pFLA PD11052HP1是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于传感器和工业电子领域。
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LA PD7752HP1
芯片高度: 270-305-345μm 键合垫直径: 110x210μm 正极: Anode (p), aluminum alloy 负极: Cathode (n), gold alloy 结电容: 22pFPremium Edition Standard PIN photodiode，具有1.6 mm2的高灵敏度和高速性能，适用于可见光和近红外辐射的检测。
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LA PD60HP2
芯片高度: 190-250μm 键合焊盘直径: 132-172μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 10nA 反向光电流: 18μALA PD60HP2是一款高灵敏度的硅PIN光电二极管，适用于传感器、工业电子和数据传输等应用。
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LA PD50IP2
芯片高度: 275-325μm 键合焊盘直径: 85-115μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 5nA 二极管电容: 60pFLA PD50IP2是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、工业电子和数据传输等高性能消费电子应用。
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LA PD45HP1
芯片高度: 250-310μm 键合垫直径: 80 x 80-120 x 120μm 正极: Anode (p), Aluminum 负极: Cathode (n), NiV-Ag 击穿电压: 60VLA PD45HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射的检测，广泛应用于传感器、工业电子和数据传输领域。
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LA PD43HP1
芯片高度: 190...250μm 键合垫直径: 140...180μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 10nA 结电容: 2.5pFLA PD43HP1是一款高灵敏度光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高灵敏度光探测和工业电子领域。
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LA PD40HP1
芯片高度: 130μm 键合焊盘直径: 140μm 阴极垫直径: 140μm 击穿电压: 33V 反向暗电流: 10nALA PD40HP1是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射的检测，广泛应用于高灵敏度探测器和工业电子领域。