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LA PA180MP1
厂家：Chips 4 Light
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Optilab DFB-1470-DL 单模双线DFB激光器
厂家：Optilab
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DUV255-SD353
厂家：Roithner Lasertechnik
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HSMF-C11B
厂家：Broadcom
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HSMF-C144
厂家：Broadcom
光电查为您提供827个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
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LA PD32HP1
芯片高度: 220μm 键合焊盘直径: 110μm 击穿电压: 20V 反向暗电流: 2nA 结电容: 2.2pFLA PD32HP1是一款高灵敏度硅PIN光电二极管，适用于高速光探测和数据通信等多个领域。
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LA PD28NP1
芯片高度: 220μm 键合焊盘直径: 90μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 30nA 最大灵敏度波长: 850nmLA PD28NP1是一款高灵敏度的红外带通光电二极管，适用于传感器、工业电子和报警设备等应用。
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LA PD28AP3
芯片高度: 200μm 键合垫直径: 130x130μm 击穿电压: 16V 反向暗电流: 2nA 二极管电容: 35pFLA PD28AP3是一款高性能的PIN光电二极管，适用于多种应用，包括环境光传感器和工业电子。
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LA PD28AP2
芯片高度: 265-295μm 键合垫直径: 105x90-145x130μm 击穿电压: 16V 反向暗电流: 0.1-2nA 二极管电容: 28pFLA PD28AP2是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于传感器、环境光传感器和工业电子等多种应用。
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LA PD28AP1
芯片高度: 250-280-310μm 键合垫直径: 100-120-140μm 击穿电压: 16V 反向暗电流: 0.1-2nA 结电容: 28pFLA PD28AP1是一款高灵敏度光电二极管，适用于多种消费应用，能够检测可见光并提供卓越的性能。
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LA PD26HP2
芯片高度: 250-310μm 键合焊盘直径: 70-110μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: <1-3nA 结电容: 1.5pFLA PD26HP2是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于高速探测和工业电子应用，具有优越的性能和可靠性。
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LA PD26HP1
芯片高度: 250 280 310μm 键合垫直径: 80 100 120μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 0.1 3nA 结电容: 1.3pFLA PD26HP1是一款高灵敏度的PIN光电二极管，适用于高速光电探测器和工业电子应用，能够探测可见光和近红外辐射。
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LA PD25IP2
芯片高度: 175-225μm 键合焊盘直径: 85-115μm 正极: Anode (p), Au alloy 负极: Cathode (n), Au alloy 芯片附着: Epoxy bondingLA PD25IP2是一款高灵敏度光电二极管，适用于传感器、工业电子和数据传输等高性能消费类应用。
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LA PD20HP2
芯片高度: 130-170μm 键合焊盘直径: 85-115μm 击穿电压: 33V 反向暗电流: 5nA 结电容: 0.5pFLA PD20HP2是一款高灵敏度PIN光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高性能消费电子。
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LA PD20HP1
芯片高度: 300μm 键合焊盘直径: 95μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 0.1nA 结电容: 1.5pFLA PD20HP1是一款高灵敏度的光电二极管，适用于可见光和近红外辐射，广泛应用于高灵敏度光电探测器、传感器和工业电子。
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LA PD18HP1
芯片高度: 265...345μm 键合垫直径: 70...100μm 击穿电压: 60V 反向暗电流: 5nA 结电容: 1.5pFLA PD18HP1是一款高速度的PIN光电二极管，适用于高速光电探测器和数据通信等应用。
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LA PD15AP1
芯片高度: 150μm 键合焊盘直径: 80μm 击穿电压: 30V 反向暗电流: 30nA 二极管电容: 1.4pFLA PD15AP1是一款高灵敏度光电二极管，适用于多种高性能消费应用，能够检测可见光，峰值灵敏度为630 nm。
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LA PA180MP1
芯片高度: 265...345μm 键合垫直径: 230...270μm 击穿电压: 33V 反向暗电流: 20nA 结电容: 5.5pFPremium Edition PIN photodiode array 180 mil，专为高性能消费应用而设计的探测器系列，包含6个高灵敏度且可单独寻址的PIN光电二极管。
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C4L-PD55S1
芯片高度: 80-120μm 键合焊盘直径: 90-130μm 反向暗电流: 0.1-5nA 二极管电容: 11pF 反向光电流: 3.5μA高性能消费应用设计的高速PIN光电二极管芯片，具有1.0 mm2的敏感区域和850 nm的峰值灵敏度。
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1.7μm InGaAs PIN光电二极管
光谱范围: 0.9 - 1.7 / 0.6 - 1.7 孔径: ? 950 / ? 1850 / ? 3000 并联电阻: 25 - 100 / 20 - 80 / 10 - 40 / 5 - 20 / 5 - 20 M? 3dB带宽: 30 - 40 / 30 - 40 / 8 - 15 / 8 - 15 / 4.5 - 6 MHz 响应度: 0.10 - 0.15 / 0.35 - 0.40 / 0.80 - 0.90 / 0.90 - 0.95 A/W1.7 μm波长截止InGaAs PIN光电二极管是一种高可靠性的平面器件，适用于SWIR或VIS-SWIR操作，具有低漏电流、高响应度和低杂散吸收等特点。
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APD 0200 -17-T1 InGaAs光电二极管
光谱范围: 0.95 – 1.65 μm 孔径: ? 200 μm TEC电流: 0.65 A 工作温度: -40 +85 °C 击穿电压: 33 – 53 VAPD0200-17-T1是一个高可靠性的平面设备，采用热电冷却的TO-46封装，具有高响应性和低噪声特性。
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APD 0200 -17-TO InGaAs光电二极管
光谱范围: 0.95 – 1.65 μm 孔径: ? 200 μm 操作温度: -40 +85 °C 工作温度: -40 +85 °C 击穿电压: 35 – 55 VAPD0200-17-TO 是一款高可靠性的平面型 lnGaAs 雪崩光电二极管，具有优异的响应特性和低噪声，适用于多种应用场景。
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APD 0200 -17 InGaAs光电二极管
光谱范围: 0.95-1.65 孔径: ?200 正向电流: --- 工作温度: -40+85 击穿电压: ---APD0200-17系列lnGaAs雪崩光电二极管，具有高可靠性和高响应性，适用于多个应用领域。
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APD 0200 -17-D InGaAs光电二极管芯片
光谱范围: 0.95 – 1.65μm 孔径: ? 200μm 长度: 460 ± 15μm 宽度: 460 ± 15μm 工作电压: 32 VAPD0200-17-D是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管芯片，具有高响应性和低漏电流，适用于多种光电应用。
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APD 0200 -17-C InGaAs光电二极管
光谱范围: 0.95 – 1.65μm 孔径: ? 200μm 击穿电压: 35V 电容: 2.5pF 响应度: 0.9A/WAPD0200-17-C是一款高可靠性的平面lnGaAs雪崩光电二极管，具有高响应度和低泄漏电流，适用于多种光电应用。