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光电探测器

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  • D30-850M 高性能光电探测器模块 光电探测器

    D30-850M 高性能光电探测器模块

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:VI Systems GmbH
    3 dB带宽: ≥30GHz 反向偏压电压: -2到-4V 最大输入功率: 2mW@850nm 暗电流(基于D40 SWDM): 4nA 偏压电压(基于D40 SWDM): -2.5V

    D30-850M是一款高性能光电探测器???,适用于多模光纤耦合,光纤系统测试、研究与开发及VCSEL测试,工作波长范围为840-1650nm,具有高达56 Gbit/s的传输速度。

  • MPA4T多参数TOF系统 光电探测器

    MPA4T多参数TOF系统

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:Fast ComTec GmbH
    光谱范围: 300 - 2000 nm

    它可用于超快多定标器和TOF系统、飞行时间质谱和时间分辨单离子或光子计数。新的!精度为100 PS的脉冲宽度评估使用户能够计算探测器脉冲的面积和脉冲高度,如果发生多个事件,也可以计算-多个事件的脉冲宽度比单个脉冲更宽。在操作中,扫描由用户提供的启动(触发)脉冲启动。然后,在STOP输入处检测到的后续事件被记录,每个事件被记录在对应于相对于START脉冲的到达时间的特定时间仓中。与非多次命中设备相比,MPA4T可以在5 GHz的脉冲宽度模式下以10 GHz状态变化/秒的速率评估停止事件。MPA4T采用全数字电路设计,能够在高达每秒10 Gbit的峰值(突发)输入速率下接受至少65,000个事件。MPA4T已针对较佳脉冲对分辨率进行了优化,同时提供数字设计中可用的较先进的时间分辨率。六个内置鉴别器可针对各种信号电平进行调整。单次扫描时间范围使用户能够获取长达20天(54位设置)或30分钟(44位设置,启用16个标签位)的数据,时间分辨率为100 PS。在无限和环绕模式下,可以适应扫描结束停滞时间为零的扫描重复。高性能硬件与每个MPA4T提供的基于Windows的复杂软件相匹配,为设置、数据传输和光谱数据显示提供强大的图形用户界面。适用于Linux的驱动程序可用。

  • UPD-100-IR1-P 光电探测器

    UPD-100-IR1-P

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Germanium 上升时间: 100 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.005 mm

    来自AlphaLas的UPD-100-IR1-P是波长范围为400至2000nm、上升时间为100ps、暗电流为700nA、带宽为3GHz、有源区直径为0.005mm的光学探测器。有关UPD-100-IR1-P的更多详细信息,请联系我们。

  • LRM-278 光电探测器

    LRM-278

    光电探测器类型: PN 光电二极管材料: Pyroelectric

    INFRATEC的LRM-278是一款八通道热电探测器,非常适合气体分析。它具有8.5 X 8.5 mm2的大孔径,可提供非常大的视?。‵OV)和出色的信噪比。该探测器采用直径为15.2 mm的TO8封装,采用2.7至5 V单电源供电。在LRM-278中,敏感的热电传感器、补偿元件以及2 X 2 mm2滤波器直接堆叠在彼此的顶部,为所有其他组件留出足够的空间。

  • 光电二极管MID-IR PD 41-03-PA 光电探测器

    光电二极管MID-IR PD 41-03-PA

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4100nm

    光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于?;ず推帘?。

  • 带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 36-05-CG 光电探测器

    带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 36-05-CG

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3600nm

    光电二极管PD 36-05-CG(带玻璃盖)设计用于探测1800-3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • 低噪音400千赫兹光接收器,带Si PIN光电二极管LCA-S-400K-SI 光电探测器

    低噪音400千赫兹光接收器,带Si PIN光电二极管LCA-S-400K-SI

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 320-1060nm

    通过将较先进的光电二极管与久经考验的出色Femto LCA电流放大器技术相结合,我们设计了具有卓越性能的新型光电接收器系列。LCA-S-400K可用于大面积Si或InGaAs光电二极管,分别覆盖400至1100 nm和900至1700 nm的光谱范围。放大器的跨阻为107V/A,在1550nm处的较大转换增益为9.5×106V/W。由于跨阻放大器的低噪声性能,较小噪声等效功率(NEP)低至75 FW/√Hz,因此无需进一步求平均值即可检测纳瓦范围内的光信号。

  • 光电二极管MID-IR PD 24-03-TO 光电探测器

    光电二极管MID-IR PD 24-03-TO

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: GaInAsSb 工作波长: 2430nm

    光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。

  • HTS L11检测器 光电探测器

    HTS L11检测器

    德国
    分类:光电探测器
    探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 3 - 5.5 um 尺寸: 13.5mm 噪声等效功率: 38uW

    HTS L系列提供单元件热电堆传感器,配有标准TO-39封装的透镜光学器件,用于远距离温度测量。该传感器适用于窄视场和小测量点。这允许在更远的距离进行精确的温度测量。与我们所有的单热电堆传感器一样,它支持客户喜欢的任何集成度。首先,根据您的应用选择热电堆传感器芯片和红外滤光片。为其配备可选的热敏电阻,提供温度参考。以ASIC的形式为模拟(HIS系列)或数字(HID系列)输出添加可选的封装内信号处理。

  • 光电二极管MID-IR PD 43-03-PA 光电探测器

    光电二极管MID-IR PD 43-03-PA

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于?;ず推帘?。

  • 带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 36-03-CG 光电探测器

    带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 36-03-CG

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03-CG(带玻璃盖)设计用于探测1800-3800nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • MID-IR光电二极管PD 25-10-TO 光电探测器

    MID-IR光电二极管PD 25-10-TO

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 2500nm

    光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

  • MID-IR光电二极管PD 43-05-TO 光电探测器

    MID-IR光电二极管PD 43-05-TO

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • UPD-30-VSG-P 光电探测器

    UPD-30-VSG-P

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 上升时间: 30 ps 窗口材料: Polished, Glass 有效面积直径: 0.04 mm

    来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-35-UVIR-P 光电探测器

    UPD-35-UVIR-P

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 上升时间: 35 ps 窗口材料: Polished, MgF2 有效面积直径: 0.0024 mm

    来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-P的更多详情见下文。

  • 带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-05-CG 光电探测器

    带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-05-CG

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-05-CG(带玻璃盖)设计用于探测2600至4600 nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • UPD-300-UD 光电探测器

    UPD-300-UD

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:ALPHALAS GmbH
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 上升时间: 300 ps 窗口材料: Diffuse, Quartz 有效面积直径: 0.283 mm

    AlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器,波长范围为170~1100nm,上升时间为300ps,暗电流为0.01nA,带宽为1GHz,有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • 带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-03-CG 光电探测器

    带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-03-CG

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 4600nm

    光电二极管PD 43-03-CG(带玻璃盖)设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

  • 带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-03-PA-CG 光电探测器

    带前置放大器和玻璃罩的光电二极管 MID-IR PD 36-03-PA-CG

    德国
    分类:光电探测器
    二极管类型: InAsSbP 工作波长: 3800nm

    光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器(-PA)在光伏模式下工作(零偏置)。此外,光电二极管芯片覆盖有玻璃盖,该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器,并封装在铝管中,用于?;ず推帘巍?/p>

  • LD11/21系列差分热释电检测器 光电探测器

    LD11/21系列差分热释电检测器

    德国
    分类:光电探测器
    厂家:Laser Components
    探测器类型: Pyroelectric 尺寸: 5mm

    在Laser Components,我们开发了一种新的改进型热释电探测器LD2100系列,其差分输出可将信噪比提高1.4。具有差分放大器的热释电探测器具有两个额外的优点:通过信号相减消除了外部干扰信号。因此,它们可用于具有电场的关键环境中。此外,LD2100系列使简单的布线成为可能,信号输出直接连接到差分AD转换器的输入。