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光电探测器

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光电查为您提供6个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 太赫兹光导天线（780 nm） 光电探测器

    太赫兹光导天线（780 nm）

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    厂家：TYDEX
    间隙宽度: 50μm 微带线之间的距离: 90μm 焦点直径: ≥50μm 芯片尺寸: 6х6х0.65mm 光电导材料: LT-GaAs

    THz Photoconductive Antennas (780 nm) 是用于太赫兹成像和光谱的理想设备，具有宽频率范围和高动态范围，广泛应用于科学和工业领域。

  • Golay检测器校准集GC-CS 光电探测器

    Golay检测器校准集GC-CS

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    厂家：TYDEX
    温度重现: 100°C 辐射源绝对置信限（95%置信度）: ±1°C 温度变化范围: ±0.1°C 辐射源温度漂移（15分钟）: ±0.1°C 辐射源输出孔径直径: 60±2mm

    GC-CS Golay探测器校准套件，提供高精度的校准和验证，适用于实验室和现场使用。

  • 脉冲太赫兹辐射电光探测器 (EOD) 光电探测器

    脉冲太赫兹辐射电光探测器 (EOD)

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    厂家：TYDEX
    DSNU: 600–1100, 1100–1700 DSNU: 11–20 DSNU: 0.1–4 DSNU: <120 DSNU: 1–20

    脉冲太赫兹辐射电光探测器(EOD)具有高灵敏度和自动调节功能，广泛应用于时间域光谱(TDS)等领域。

  • 25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器

    25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50μm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单?；蚨嗄ER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

  • 带光电负极的X射线管 光电探测器

    带光电负极的X射线管

    具有冷阴极的X射线管（PRT）使用内置的光电倍增管（PMT）代替传统的阴极作为电子源。X射线由照射到光电倍增管光电阴极上的光来调节?？梢允褂梅⒐舛?、灯或任何其它光源作为光源。PRT可应用于医学（X射线断层摄影术）、生物学、X射线空间通信、X射线结构和X射线光谱分析设备。

  • FP1-850K光电探测器 光电探测器

    FP1-850K光电探测器

    俄罗斯
    分类：光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 810nm

    FP1-850K型光电二极管，光谱灵敏度范围为810-870 nm，通过纤芯直径为50μm的多模光纤将辐射引入人体。它是在硅PIN光电二极管的基础上制成的，用于光纤通信系统、陀螺仪、测量设备和其他领域，作为接收器和将光辐射转换为电信号的转换器。帖子导航