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用于化合物半导体的AIX 2800G4-TM IC2沉积系统
基底尺寸: 203.2 - 152.4 mm 工艺类型: Pulsed Laser Deposition (PLD)AIX 2800G4-TM,用于基于GaAs/InP的光电子学和P-HEMT/HBT器件。