表面金属的超快生成和衰变
2023-08-16
来源公司:成都禹治科技
当半导体中浅供体的掺杂密度增加到临界值以上时,原本在杂质位点以氢化电位定位的多余电子就会发生脱定位,形成金属带。
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2023-08-16
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当半导体中浅供体的掺杂密度增加到临界值以上时,原本在杂质位点以氢化电位定位的多余电子就会发生脱定位,形成金属带。
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