研究目的
基于GaAs可饱和吸收体的1875.2nm全光纤被动锁模Tm-Ho共掺光纤激光器性能研究。
研究成果
该研究成功展示了一种基于GaAs可饱和吸收器的1875.2 nm全光纤被动锁模Tm-Ho共掺光纤激光器，实现了1.13 MHz重复频率、634 ps脉宽和25 nJ脉冲能量的输出。观测到的准模锁（QML）、基频谐波旋转反射（FRR）及二次谐波旋转反射（SHRR）工作模式为孤子脉冲能量量子化效应和自相位调制提供了研究依据。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的特定设置和材料，例如砷化镓可饱和吸收体和铥钬共掺光纤。研究结果可能无法直接适用于其他配置或材料。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用掺铥钬共掺光纤激光器系统，配合砷化镓可饱和吸收体实现锁模。设计原理聚焦于产生低重复频率、高能量的脉冲。
2：样本选择与数据来源：
增益光纤为1.1米长的铥钬共掺光纤（TH512，购自CorActive公司），由1570纳米半导体激光器泵浦。
3：1米长的铥钬共掺光纤（TH512，购自CorActive公司），由1570纳米半导体激光器泵浦。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：包括波分复用器（WDM）、隔离器（ISO）、光纤耦合器（OC）、砷化镓可饱和吸收体（SA）、单模光纤（SMF-28e）、光电探测器（ET-5000 F）、示波器（Tektronix DPO73304D）及光谱分析仪（YOKOGAWA AQ6375）。
4：实验流程与操作步骤：
通过泵浦增益光纤，利用隔离器确保单向运行，并通过耦合器提取激光输出，监测分析输出特性。
5：数据分析方法：
解析输出脉冲序列与光谱以确定激光器的性能特征。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容
