研究目的
展示一种基于周期性表面电流注入设计的无再生双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器，以实现高功率和单纵模工作。
研究成果
无再生双锥形增益耦合分布反馈半导体激光器实现了高输出功率和单纵模运行，并具有优异的光束质量。该器件采用标准i线光刻工艺制造，具备低成本、易加工的特点，具有广泛的商业化应用潜力。
研究不足
较高电流下的模式退化可能是由器件内的模式竞争和温度升高引起的。增益耦合DFB激光器件的斜率效率和输出功率均逊色于FP激光器件。
1：实验设计与方法选择：
该器件由具有44阶增益耦合槽的脊形波导和两个对称锥形波导组成，用于光放大。设计旨在实现基横模和单纵模发射。
2：样品选择与数据来源：
外延层结构通过金属有机化学气相沉积法在GaAs衬底上生长。
3：实验设备与材料清单：
采用标准i线光刻技术和电感耦合等离子体干法刻蚀进行制备。
4：实验步骤与操作流程：
精确定义并形成器件结构，随后进行金属化、解理成条和封装。
5：数据分析方法：
在连续波条件下测量光输出功率、光谱、光谱宽度及远场图样。
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