研究目的
采用一种简单方法制备适用于大规模生产的1564 nm附近窄线宽半导体激光器。
研究成果
基于高阶布拉格光栅（HOBGs）结构研发了一种窄线宽分布反馈式（DBR）半导体激光器，实现了1564纳米的波长峰值、9.9毫瓦的输出功率、超过30分贝的边模抑制比以及70千赫的线宽。该方法避免了复杂光刻技术的高成本与低良率问题，为大规模生产提供了简易解决方案。
研究不足
由高阶布拉格光栅结构引起的高阶散射损耗会增大阈值电流，并降低输出功率和斜率效率。光栅沟槽不可过度刻蚀，以避免高阶散射增强。
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基于i线光刻定义的高阶布拉格光栅的窄线宽分布反馈激光器
DOI：10.1016/j.optcom.2019.03.062
期刊：Optics Communications
出版年份：2019
更新时间：2025-11-28 14:23:57
摘要：
为了获得1564纳米附近的窄线宽半导体激光器，我们采用蝶形封装设计了一种具有高阶布拉格光栅（HOBGs）的分布式布拉格反射器（DBR）激光器。该DBR激光器仅通过i线光刻技术制造，在4微米条宽上设置4.84微米的光栅周期、1.5微米的槽宽和72微米的光栅长度。未镀端面涂层的1毫米长器件在80毫安注入电流下实现了9.9毫瓦的输出功率和超过30分贝的边模抑制比（SMSR）。这些激光器展现出70千赫兹的超窄洛伦兹线宽。本文为窄线宽半导体激光器的大规模生产提供了一种简便方法。
作者：
Hong Chen，Peng Jia，Chao Chen，Li Qin，Yongyi Chen，Youwen Huang，Yongqiang Ning，Lijun Wang
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