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3.5 - 4.7微米波长范围内中红外光源在硅基波导平台上的集成

DOI:10.1109/JSTQE.2019.2949453 期刊:IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-11 14:15:04
摘要: 中红外光源在光谱传感、热成像和红外对抗等领域备受关注。将这些光源集成于硅基波导上,可在单芯片上实现更复杂、功能更丰富的光子电路。本文重点探讨该集成平台的关键技术:阐述了绝缘体上硅波导在波长超过4.0微米时通过增加波导芯层厚度实现工作的原理,展示了不同包层材料对波导传输损耗的影响;论述了锗硅波导平台中的低损耗波导与马赫-曾德尔干涉仪,并在两种平台上均实现了阵列波导光栅形式的合束器;通过直接键合将带间级联激光器集成于绝缘体上硅波导以实现法布里-珀罗激光器;通过将量子级联激光器与绝缘体上硅合束器集成验证了集成激光器的功率扩展能力;首次报道了锗硅波导平台上集成法布里-珀罗量子级联激光器的成果,并探讨了该波导为集成式中红外光源提供更优散热方案的潜在应用。
作者: Aditya Malik,Alexander Spott,Eric J. Stanton,Jonathan D. Peters,Jeremy D. Kirch,Luke J. Mawst,Dan Botez,Jerry R. Meyer,John E. Bowers
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研究基于硅波导平台的中红外光源集成技术,应用于光谱传感、热成像及红外对抗领域。

该论文证明了在硅基波导平台上集成中红外光源的可行性,突出了构建紧凑型功能性光子电路的潜力。研究指出了关键挑战,并为提升激光器性能和热管理提出了未来方向。

该研究指出,在硅波导上制造集成ICL和QCL面临挑战,包括侧壁漏电和热管理问题。目前集成激光器的性能低于原生衬底上的器件,表明存在优化空间。

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