研究目的
开发和研究1040至1080纳米光谱范围内集成激光发射器的主要特性，重点在于提高输出光功率并理解由热释放引起的限制因素。
研究成果
该研究成功研制并表征了输出功率增强的集成激光发射器，双激光二极管相比单激光二极管展示了1.7倍的微分量子效率提升。然而效率受限于热释放问题，表明需进一步优化异质结构设计和热管理技术。
研究不足
主要发现的限制是集成发射器导致热释放显著增加，这影响了它们在连续波模式下的性能。研究还指出，管理有源区温度以防止效率损失是一个挑战。
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基于外延集成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结构的连续波激光二极管
DOI：10.1070/QEL17089
期刊：Quantum Electronics
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
我们报道了波长范围为1040至1080纳米的集成激光发射器研发及其主要特性的研究结果。这些器件采用外延集成的InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结构制造，具有一个或两个发射区，并在脉冲、准连续和连续波泵浦模式下进行测量。研究发现，集成发射器除了具有输出光功率增加的明显优势外，还存在一个显著限制——释放热量增加。尽管如此，研究表明这种集成双激光二极管在连续波工作模式（Pmax约6瓦）下能高效运行，其微分量子效率较单激光二极管提高了1.7倍。
作者：
M.A. Ladugin，N.V. Gul’tikov，A.A. Marmalyuk，V.P. Konyaev，A.V. Solov’eva
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