研究目的
采用脉冲激光沉积技术制备可见光增强型PbI2/MgO/Si异质结光电探测器及其表征。
研究成果
该研究通过脉冲激光沉积(PLD)法，在无需后处理退火的情况下成功制备了高可见光响应度的纳米结构PbI2/MgO/Si异质结光电探测器。PbI2薄膜与硅衬底之间的MgO缓冲层改善了结区特性。在45°C制备温度下获得了410nm波长处0.88A/W的最大响应度。该光电探测器可有效用于可见弱信号检测。
研究不足
该研究未提及光电探测器在连续工作状态下的长期稳定性或耐久性，也未探究环境因素对光电探测器性能的影响。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术制备p-PbI2/MgO/n-Si光电探测器，通过XRD、紫外-可见吸收光谱和SEM分析了薄膜的结构、光学及形貌特性。
2：样品选择与数据来源：
使用(111)晶向的n型硅衬底，经稀释氢氟酸清洗刻蚀去除表面氧化层。
3：实验设备与材料清单：
采用实验室自组装PLD系统、Nd:YAG激光器、激光干涉仪系统、X射线衍射仪（XRD-6000，岛津）、扫描电子显微镜SEM（捷克T-scan Vega III）、双光束紫外-可见分光光度计（Metratech SP 8001）及LCR测试仪。
4：实验流程与操作步骤：
通过PLD在100°C下于石英和硅衬底沉积MgO薄膜，随后在MgO薄膜上以(25、45、65和100)°C温度PLD沉积PbI2薄膜，通过沉积In形成PbI2薄膜欧姆接触，硅衬底背面沉积Al形成欧姆接触。
5：65和100)°C温度PLD沉积PbI2薄膜，通过沉积In形成PbI2薄膜欧姆接触，硅衬底背面沉积Al形成欧姆接触。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：室温下测量电流-电压及电容-电压特性，采用校准的Jobin Yvon单色仪测定光电探测器响应度。
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获取完整内容-
X-ray diffractometer
XRD-6000
Shimadzu
Used to investigate the film microstructure.
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Nd: YAG laser
Used for irradiating the MgO pellet in the PLD system.
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Scanning electron microscope
T-scan Vega III
Czech
Used to investigate the surface morphology of the films.
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Double beam UV-Vis spectrophotometer
SP 8001
Metratech
Used to measure the optical absorption of the films.
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LCR meter
Used to measure the C-V characteristics of the heterojunction.
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Calibrated Jobin Yvon monochromator
Used to measure the responsivity of the photodetector.
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