研究目的
提出一种基于过渡金属嵌入硼烯纳米片的策略,以实现具有室温铁磁性和大垂直磁各向异性的二维材料。
研究成果
过渡金属嵌入策略可在二维硼烯中引入室温铁磁性,为实用自旋电子器件的发展提供潜在优势。该研究为低维自旋电子材料与器件构建了广阔平台。
研究不足
该研究是理论性的,基于第一性原理计算。实验实现以及衬底对过渡金属嵌入硼烯性能的影响仍需进一步研究。
研究目的
提出一种基于过渡金属嵌入硼烯纳米片的策略,以实现具有室温铁磁性和大垂直磁各向异性的二维材料。
研究成果
过渡金属嵌入策略可在二维硼烯中引入室温铁磁性,为实用自旋电子器件的发展提供潜在优势。该研究为低维自旋电子材料与器件构建了广阔平台。
研究不足
该研究是理论性的,基于第一性原理计算。实验实现以及衬底对过渡金属嵌入硼烯性能的影响仍需进一步研究。
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