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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 金属有机气相外延生长的GaN纳米线核与GaInN/GaN多量子壳的晶体生长及光学特性

DOI：10.1109/IPCon.2019.8908294 出版年份：2019 更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要： 通过优化的生长条件，采用连续流动模式金属有机化学气相沉积（MOVPE）均匀生长了n型氮化镓纳米线及GaN/InGaN多量子壳层（MQS）。虽然成功生长出无扩展缺陷的晶体，但MQS中可能含有作为非辐射复合中心的点缺陷。研究发现，AlGaN下层壳能有效捕获点缺陷，从而改善MQS的光学性能。
作者： Satoshi Kamiyama，Motoaki Iwaya，Weifang Lu，Isamu Akasaki，Tetsuya Takeuchi
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

讨论金属有机气相外延（MOVPE）中生长条件及AlGaN底层壳层对点缺陷扩散的阻挡作用，以获得高质量n型GaN纳米线与GaInN/GaN多量子阱结构及其光学特性。

研究成果

研究发现，AlGaN底层壳层能有效作为点缺陷陷阱来改善多量子阱结构的光学性能。带有AlGaN底层壳层的MQS样品的阴极荧光强度比未带AlGaN的样品高出7倍。AlGaN可能起到点缺陷陷阱的作用，从而促使MQS实现高效发光。

研究不足

尽管MQS具有无扩展缺陷的高质量，但仍可能包含作为非辐射复合中心的点缺陷?；贛QS和纳米线的结构发光效率尚未达到现有平面LED的水平。

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