研究目的
研究石墨烯量子点（GQDs）中绝缘体向半导体的转变，并分析其在不同温度范围内的电学和介电特性。
研究成果
该研究成功证明了GQDs（石墨烯量子点）在约400K时发生绝缘体到半导体的转变，揭示了其电学和介电特性。这一转变归因于层间水分子的去除和局域电荷的热激活。该发现对柔性电子器件的发展具有重要意义。
研究不足
该研究仅限于300K至500K的温度范围，且未探究不同合成条件对GQD性质的影响。
1：实验设计与方法选择：
通过改进的柠檬酸热解法合成石墨烯量子点（GQDs），采用阻抗谱、紫外-可见光谱和光致发光光谱研究其电学与介电性能。
2：样品选择与数据来源：
制备的GQDs通过X射线衍射（XRD）、动态光散射（DLS）、紫外-可见光谱（UV-Vis）和光致发光光谱（PL）进行表征。
3：实验设备与材料清单：
理学Miniflex II型X射线衍射仪、马尔文Zetasizer Nano ZS粒度分析仪、岛津UV 2401Pc分光光度计、JASCO FP-8500荧光光谱仪、日置3532型LCR测试仪。
4：实验流程与操作步骤：
合成并表征GQDs后，测量其在300K至500K温度范围内的电学性能。
5：数据分析方法：
采用Jonscher幂律模型分析电导率数据，通过Cole-Cole模型研究介电弛豫特性。
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