研究目的
提出一种新型带阻滤波器（BSF），采用同轴馈电开槽基片集成波导（SIW）结构，通过探针激励SIW腔体实现高选择性，且无需额外占用空间。
研究成果
采用同轴馈电和开槽SIW腔体的三阶带阻滤波器已成功制作并测试，展现出小型化、高选择性的良好带阻特性。该设计方法有效利用了由同轴馈线激励的SIW腔体谐振器，且无需额外占用空间。
研究不足
所提出的带通滤波器由于具有较高的品质因数、紧凑的尺寸和高选择性而具有窄带特性，但其带内插入损耗和回波损耗仍有进一步优化的空间。
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采用同轴馈电的基片集成波导高选择性带阻滤波器
DOI：10.1002/mop.32183
期刊：Microwave and Optical Technology Letters
出版年份：2019
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
本文提出了一种采用同轴馈电开槽基片集成波导（SIW）的新型带阻滤波器（BSF）。该BSF设计采用同轴馈电线与穿透基片并相互连接的延伸探针，而非利用主传输线布置谐振器。SIW腔体通过探针激励作为谐振器产生阻带。首先设计了含单腔与双腔的两种BSF，二者均具备SIW腔体谐振器模式及低频反射零点。随后提出两种采用双腔谐振器与单槽谐振器的三阶BSF，通过阻带两侧的反射零点实现高选择性。最后对其中一种三阶BSF进行制备与实测以验证设计方案。
作者：
Sai-Wai Wong，Jing-Yu Lin，Long Zhang，Yun Wang，Rui-Sen Chen，Bing-Jian Niu，Yin Li，Yejun He
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