研究目的
研究热退火对化学浴沉积SnO2/p-Si异质结太阳能电池光伏性能的影响
研究成果
研究表明，在氩气环境下对化学气相沉积（CBD）生长的二氧化锡（SnO?）薄膜进行200°C退火处理，能显著提升其光伏性能，使其成为开发高性能太阳能电池的一种极具前景的低成本替代方案。
研究不足
本研究仅限于探讨200°C和400°C退火温度对SnO2/p-Si异质结太阳能电池性能的影响，未研究其他退火温度或不同环境条件下的优化潜力。
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研究热退火对化学浴沉积SnO2/p-Si异质结太阳能电池光伏性能的影响
DOI：10.1007/s00542-019-04667-x
期刊：Microsystem Technologies
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
本研究考察了退火温度对化学浴沉积(CBD)法制备的SnO2薄膜光电性能的影响。为研究退火处理对SnO2/p-Si异质结太阳能电池性能的影响，将生长在p-Si衬底上的SnO2薄膜在氩气环境中分别于200°C和400°C退火10分钟。通过SEM研究证实了Si表面均匀SnO2薄膜的生长，并采用XRD和椭偏仪测量详细分析了原始薄膜与退火薄膜的化学成分及光学特性。在带隙(3.0 eV)处观测到样品吸收系数变化范围为24×105–60×105/m。暗态和光照条件下的电流-电压特性表明200°C退火SnO2薄膜具有更优异的光伏性能。原始样品与200°C退火样品的短路电流密度、开路电压和填充因子分别为0.45 mA/cm2、5.41 mA/cm2和0.4 V、0.34 V以及13%、8%。200°C退火样品获得了4.9%的最大功率转换效率(η)。研究表明CBD法制备的SnO2薄膜在光伏应用方面具有潜力。
作者：
Anannya Bhattacharya，Jenifar Sultana，Subhrajit Sikdar，Rajib Saha，Sanatan Chattopadhyay
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