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全溶液法制备的双空穴传输层倒置量子点发光二极管,以热激活延迟荧光掺杂剂作为能量转移介质

DOI:10.1016/j.orgel.2019.105544 期刊:Organic Electronics 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 通过采用聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)作为附加空穴传输层(HTL)并掺杂蓝色热激活延迟荧光(TADF)材料4,5-双(咔唑-9-基)-1,2-二氰基苯(2CzPN),我们展示了具有高性能的高效全溶液法制备的反型量子点发光二极管(QLEDs)。这种PVK:2CzPN复合层不仅优化了空穴注入,还利用泄漏电子通过2CzPN向量子点(QDs)的能量转移过程增强器件亮度。与采用聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-交替-(4,4'-(N-(4-丁基苯基)(TFB)单一HTL的标准QLED相比,这些优势使器件电流效率提升20倍(从0.523 cd/A增至11 cd/A),最大亮度提高9.9倍(从3220 cd/m2增至35352 cd/m2)。与采用TFB/原始PVK双HTL的QLED相比,采用PVK:2CzPN附加HTL的最优QLED在亮度和电流效率上仍分别高出40.8%和61.7%。
作者: Weiye Zheng,Dandan Song,Suling Zhao,Bo Qiao,Zheng Xu,Junfei Chen,Peng Wang,Yue Liang
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通过采用聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)作为附加空穴传输层(HTL),并掺杂蓝色热激活延迟荧光(TADF)材料4,5-双(咔唑-9-基)-1,2-二氰基苯(2CzPN),展示出具有高性能的高效全溶液加工倒置量子点发光二极管(QLEDs)。

在全溶液法制备的反型量子点发光二极管中采用热激活延迟荧光材料与双空穴传输层的创新方案,为提升量子点发光二极管器件性能提供了更多选择,并为柔性显示应用展现了良好前景。

由于溶剂腐蚀问题,能量转移介质在全溶液法制备的反型量子点发光二极管中的应用仍受到限制。

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