研究目的
研究利用凹陷氮化硅（SiNx）侧壁应力源提升绝缘体上锗（GOI）金属-半导体-金属（MSM）光电探测器的量子效率与吸收覆盖范围。
研究成果
凹陷的SiNx应变GOI MSM光电探测器展现出显著的吸收范围扩展和量子效率提升，有望推动锗材料在宽带高速集成光子学中的应用。
研究不足
该研究聚焦于L波段增强，并未探究进一步波长扩展的潜力或对器件速度性能的影响。
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[2019年IEEE第16届第四族光子学国际会议(GFP) - 新加坡，新加坡（2019.8.28-2019.8.30）] 2019年IEEE第16届第四族光子学国际会议(GFP) - 具有60纳米吸收范围扩展和L波段约2倍量子效率增强的锗光电探测器
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[2019年IEEE第16届第四族光子学国际会议(GFP) - 新加坡，新加坡（2019.8.28-2019.8.30）] 2019年IEEE第16届第四族光子学国际会议(GFP) - 具有60纳米吸收范围扩展和L波段约2倍量子效率增强的锗光电探测器
DOI：10.1109/group4.2019.8853916
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
绝缘体上锗（GOI）金属-半导体-金属（MSM）光电探测器实现了吸收覆盖范围扩展60纳米，并在L波段量子效率提升约2倍。
作者：
Yiding Lin，Danhao Ma，Rui-Tao Wen，Kwang Hong Lee，Xin Guo，Jin Zhou，Hong Wang，Chuan Seng Tan，Jurgen Michel
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