研究目的
研究绝缘体上硅(SOI)芯片上多模波导干涉(MMI)耦合器与临界线性锥形波导的组合,以实现最大发散角和增强输出功率。
研究成果
研究表明,在SOI芯片上采用1×1多模干涉器结合临界线性锥形波导可实现最大发散角,并显著降低器件损耗。当参数为0.95时,输出功率至少提升1.5倍,这为光子集成电路提供了一种极具前景的解决方案。
研究不足
本研究仅限于器件结构的模拟,不包括实验制备和测试。由于制造公差和环境条件的影响,该器件在实际应用中的性能可能会有所不同。
研究目的
研究绝缘体上硅(SOI)芯片上多模波导干涉(MMI)耦合器与临界线性锥形波导的组合,以实现最大发散角和增强输出功率。
研究成果
研究表明,在SOI芯片上采用1×1多模干涉器结合临界线性锥形波导可实现最大发散角,并显著降低器件损耗。当参数为0.95时,输出功率至少提升1.5倍,这为光子集成电路提供了一种极具前景的解决方案。
研究不足
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