研究目的
开发一种低温（≤150oC）制备高质量CsPbI3/CsPbI2Br全无机钙钛矿薄膜的方法，可大幅降低制备成本与工艺复杂度。
研究成果
在CsPbI2Br中掺杂CsAc成功实现了在150oC低温下制备高效稳定的无机CsPbI2Br基钙钛矿太阳能电池。最佳掺杂浓度（10% CsAc）带来高结晶度、减少缺陷态并增强电荷传输，使光电转换效率达到10.53%。该研究为低温制备高性能钙钛矿太阳能电池提供了可行方法。
研究不足
该研究聚焦于CsPbI2Br薄膜，可能并不直接适用于其他钙钛矿组分。对于超过480小时的长期稳定性尚未进行充分探究。
1：实验设计与方法选择：
研究通过在150oC低温下向CsPbI2Br前驱体溶液中掺杂CH3COOCs（CsAc）来制备平面结构太阳能电池。
2：样品选择与数据来源：
制备并分析了不同CsAc浓度（0%、5%、10%、12.5%）的CsPbI2Br薄膜。
3：0%、5%、10%、5%）的CsPbI2Br薄膜。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：使用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、能量色散X射线光谱仪（EDS）等标准实验室设备。
4：实验步骤与操作流程：
薄膜在150oC下退火，并评估其相稳定性、结晶度及光伏性能。
5：数据分析方法：
采用XRD进行相分析，SEM观察形貌，EDS进行元素分析，光伏测量评估器件性能。
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获取完整内容-
CsPbI2Br
Used as the absorber layer in perovskite solar cells.
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CH3COOCs (CsAc)
Dopant to stabilize the α-phase of CsPbI2Br at low temperatures.
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FTO
Substrate for the solar cell.
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TiO2
Electron transport layer.
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Spiro-OMeTAD
Hole transport layer.
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Ag
Electrode material.
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