研究目的
通过寻找最佳激光能量密度来改善和控制PbI2薄膜的晶体生长以及p-PbI2/MWCNTs/p-Si光电探测器。
研究成果
该研究成功展示了通过脉冲激光沉积（PLD）技术在45°C下生长纳米结构PbI2薄膜，当激光能量密度为3.9 J/cm2时获得最佳性能。在此条件下制备的p-PbI2/MWCNTs/p-Si光电探测器无需沉积后退火即表现出高光电灵敏度，显示出高性能光电子应用的潜力。
研究不足
该研究的局限性在于薄膜性能对激光能量密度的依赖性，以及需要进一步优化脉冲激光沉积工艺以提高薄膜质量和光电探测器性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用脉冲激光沉积（PLD）技术在45°C衬底温度下生长纳米结构PbI2薄膜，探究激光能量密度对薄膜性能的影响。
2：样品选择与数据来源：
使用高纯度PbI2粉末压制成靶材进行PLD沉积，衬底选用玻璃和单晶硅。
3：实验设备与材料清单：
采用自制PLD系统（配备Q开关Nd:YAG激光器）、X射线衍射仪（XRD-6000，岛津）、扫描电镜（T-scan Vega III，捷克）、原子力显微镜（Digital Instruments Nanoscope II）及紫外-可见分光光度计。
4：实验流程与操作步骤：
在不同激光能量密度下沉积PbI2薄膜，随后进行结构、形貌、光学及电学性能表征。
5：数据分析方法：
通过XRD、SEM、AFM、EDX及紫外-可见光谱数据解析薄膜特性。
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获取完整内容-
X-ray diffractometer
XRD-6000
Shimadzu
Structural characterization of PbI2 films
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Scanning electron microscope
T-scan Vega III
Czech
Morphological analysis of PbI2 films
-
Atomic force microscope
Nanoscope II
Digital Instruments
Surface morphology analysis
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UV-Vis spectrophotometer
Shimadzu
Optical absorption and reflection measurements
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