研究目的
通过控制真空沉积CsPbBr3薄膜的生长动力学，提高基于CsPbBr3的发光二极管（LEDs）中激子空间限域的效率，从而实现更高的发光效率。
研究成果
研究表明，通过调节沉积通量控制真空沉积CsPbBr3薄膜的生长动力学，可显著提升钙钛矿LED的效率。0.9 ?/s的最佳沉积速率能形成具有纳米级晶粒结构和高发光效率的薄膜，从而使LED实现1.07 cd/A的最大电流效率及窄带电致发光光谱。
研究不足
该研究承认需要进一步优化载流子注入效率和缺陷钝化以提高器件性能。CsPbBr3薄膜的PLQY较低（约1%），表明存在潜在改进空间。
1：实验设计与方法选择：
通过热共蒸发CsBr和PbBr2制备CsPbBr3薄膜，通过调节沉积通量控制生长动力学。
2：样品选择与数据来源：
采用图案化掺锡氧化铟（ITO）涂层的玻璃基底。
3：实验设备与材料清单：
包括监测沉积速率的石英晶体微天平（QCM）传感器、用于形貌分析的SEM和AFM、用于晶体结构分析的XRD，以及多种光学表征光谱仪。
4：实验流程与操作步骤：
包括ITO基底清洗制备、不同速率下沉积CsPbBr3薄膜及薄膜器件表征。
5：数据分析方法：
采用双指数模型拟合TRPL衰减曲线，并通过温度依赖性PL分析确定激子结合能。
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